[发明专利]一种双面电池组件在审
| 申请号: | 202110134606.4 | 申请日: | 2021-01-30 |
| 公开(公告)号: | CN112951935A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
| 发明(设计)人: | 黄国平;姜亚帅;庄浩;龚琴赟;白玲玲;史振侠;李菁楠 | 申请(专利权)人: | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049;H01L31/068;C09J123/08;C09J11/04;C09J11/06;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 镇江基德专利代理事务所(普通合伙) 32306 | 代理人: | 邓月芳 |
| 地址: | 212000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双面 电池 组件 | ||
本发明公开了一种双面电池组件,包括框架和自上而下依次叠层设于框架内的玻璃、上层胶膜、电池、下层胶膜、盖板。所述的下层胶膜的质量份组成如下:基体EVA树脂100份、改性纳米粒子0.1~30份、过氧化物交联剂0.01~2份、助交联剂0.1~5份、光稳定剂0.01~5份、抗氧剂0.05~3份。本发明中,采用双层EVA结构简化层压工艺、提升层压良率、降低成本投入;下层改性胶膜添加改性中空结构纳米粒子,具有高透光特性,可用于双面电池组件;纳米粒子呈电中或电负性,PID测试时可以形成电场屏蔽,加强PERC电池背面氧化铝负电场的钝化作用;纳米粒子独特的中空结构可大量吸附电池或玻璃中的钠离子、钾离子等,进而显著提升组件抗PID作用。
技术领域
本发明涉及光伏电池技术领域,具体涉及一种双面电池组件。
背景技术
近年来,光伏电站项目投资者越来越关注度电成本,而高功率的组件的应用可进一步降低度电成本,同时国家“领跑者计划”对高功率组件的刺激需求,光伏组件厂商不断通过技术升级提升组件输出功率。提升组件输出功率可通过提升电池效率、优化材料搭配、创新电路设计等方式实现,如半片、叠瓦、双面、多主栅技术等。双面组件由于背面发电特性,基于系统设计、地面反射率、安装因素等不同因素,发电量较常规单面组件增益可达5%-30%,可显著降低度电成本,目前市场上主流技术即双面p-PERC电池技术,双面组件可分为背面玻璃或透明背板两种结构,同时由于电池背面基于铝背场,在PID测试时易发生p型极化,且电池工艺、玻璃中的钠离子或钾离子等入侵电池的背面铝背场,并导致双面电池背面功率衰减过高,传统的透明高截止EVA胶膜搭配双面电池会发生较高的背面衰减;目前一般选择POE胶膜作为封装材料,但是一方面POE层压工艺复杂、耗时长,需要使用层压工装、封闭胶带,耗时费力,同时层压过程长,且易出现串偏移、气泡等问题;另一方面,POE的工艺稳定性较差,由于添加大量有机助剂,且与POE混合困难,导致批次间差异较大,使用存在一定风险。
如专利文献CN105885709A所公开一种超高截止EVA封装胶膜;其质量百分比含量如下:乙烯-醋酸乙烯共聚物树脂含量为94.8%~97.02%,稀土有机转光剂含量为0.1%~0.5%,抗氧剂含量为0.3%~3%,紫外线吸收剂含量为0.6%~0.9%,交联剂含量为0.45%~2%,硅烷偶联剂含量为0.18%~1.5%;该公开专利提供的制造方法制得的EVA胶膜的透明性和耐紫外老化性能得到了很大的提高,从而改善了胶膜的耐紫外老化性能,提高了太阳能电池组件的使用寿命,对组件的背材起到了很好的保护作用。
但现有的EVA胶膜不适配双面电池,组件PID测试后背面衰减超标问题无法解决。
如专利文献CN110527461A所公开一种高粘结强度的白色EVA胶膜,其质量份组成如下:EVA基料100份、钛白粉8-9份、增白剂0.1-0.3份、抗氧剂0.4-1.2份、光稳定剂0.3-0.8份、紫外吸收剂1-3份、热稳定剂0.4-1.6份、硅烷偶联剂0.2-1.2份、除酸剂0.1-0.5份、过氧化物类交联剂0.2-0.5份、增粘剂B-440.03-0.24份,所述EVA中VA的含量为28%;由于白色EVA胶膜在使用过程中会产生醋酸,醋酸会腐蚀电极,会造成电阻增大甚至是短路的情况发生,所以本发明中添加了除酸剂,用以去除醋酸,有效克服了由于醋酸的存在还产生的问题,提高了胶膜和组件的使用安全性。
但现有的白色EVA胶膜不适配双面电池组件,白膜主要是添加30%左右粒径约微米级别的二氧化钛实心粒子以增加正面光线反射,背面电池被白色胶膜遮住,背部光线同样无法穿透白色胶膜被背面电池吸收,无法发挥双面组件的发电特性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





