[发明专利]一种用于蓝宝石基底镀铝膜的量子芯片的湿法刻蚀方法

权利要求书

1.一种用于蓝宝石基底镀铝膜量子芯片制备的湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤如下：

以蓝宝石作为衬底，清洗抛光的衬底表面；

在抛光的衬底表面镀铝膜，在铝膜表面涂敷光刻胶，

经曝光、显影获得有图形的掩膜芯片；

将坚膜后的掩膜芯片在四甲基氢氧化铵中进行刻蚀去除与图形对应的铝膜；

去除剩余全部光刻胶，获得量子芯片；

其中，

使用四甲基氢氧化铵刻蚀与图形对应的铝膜时，分多次进行刻蚀，每次刻蚀时间不超过1分钟，待溶解的光刻胶边缘凝固后再进行下一次刻蚀，直到铝膜被刻蚀干净。

2.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，

抛光的衬底表面平整度波动在0.2到0.5纳米以内。

3.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，在紫外光臭氧或者等离子体去胶机中清洗抛光的衬底表面。

4.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，将清洗后的衬底放在电子束蒸发机中进行抽真空操作，在高真空10^-9mbar环境下镀铝膜。

5.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，铝膜厚度为80nm-120nm。

6.如权利要求1所述的量子芯片的湿法刻蚀方法，其特征在于，在四甲基氢氧化铵的显影液中显影，获得掩膜芯片。

7.如权利要求6所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，在四甲基氢氧化铵的显影液中的显影时间为30-60秒。

8.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，使用四甲基氢氧化铵刻蚀铝膜时，前后两次刻蚀间隔大于10分钟直至溶解的光刻胶凝固。

9.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，将掩膜芯片放置在丙酮中除去剩余光刻胶。