[发明专利]一种可控硅控制方法及装置

说明书

本发明公开了一种可控硅控制方法及装置，所述控制方法包括向可控硅的控制极提让可控硅导通的供触发信号，触发信号的控制频率fb与交流电频率fac之间具有频率差值fd，所述频率差值fd不为0，通过调整频率差值fd对负载功率进行调整。本发明通过向可控硅控制极提供触发信号，让可控硅导通，触发信号的控制频率fp与交流电频率fac之间具有频率差值fd，可控硅在交流电每个周期内导通的时间点均不相同，可控硅的导通角进行周期性的变化，根据频率差值fd可以计算出可控硅导通角，进而计算出负载电压，通过调整频率差值fd对可控硅的导通角进行调整，实现对负载功率控制的目的。本发明中可控硅控制方法简单，不需要过零检测电路，有效降低了电路成本。

技术领域

本发明属于自动控制技术领域，具体地说，涉及一种可控硅控制方法及装置。

背景技术

可控硅是一种半控型电子元件，在自动控制系统中，可控硅可以作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。在一般情况下可控硅处于非导通状态，为了使可控硅导通，需要在可控硅的阳极和阴极之间外加正向电压，并且在可控硅的控制极输入正向触发电压。可控硅在导通后，停止输入触发电压，可控硅仍然保持导通状态。当可控硅的阳极电流值小于维持导通所需要的最小电流值时，可控硅关断。如果可控硅的阳极和阴极之间外加的是交流电压，那么在电压过零时，可控硅自动关断。

现有可控硅的控制方式中，通过在交流电每个全波或者半波周期，延迟一定时间，给可控硅的控制极一个触发电压，可控硅延迟一定角度导通，通过控制可控硅的延迟触发时间，可以控制导通角，进而控制负载电压，达到控制负载功率的目的。在交流电的每个周期内，从可控硅导通开始至交流电电压过零这段时间内，可控硅向负载传输电流，其余时间截止电流。通过获取交流电电压的过零时间点来决定可控硅的导通时机，以准确控制负载电压，实现对负载功率的精确调整。

现有的一篇中国专利公开了一种可控硅控制装置，所述装置包括：过零触发光耦和可控硅，所述可控硅、负载以及交流电源串联连接；所述过零触发光耦与所述交流电源以及所述可控硅的控制极连接，并接收来自触发发生装置的触发宽度调制信号，其中，在接收到的触发宽度调制信号为高电平、且检测到所述交流电源提供的交流电的过零点时，向所述可控硅的控制极提供触发电压，以使所述可控硅导通；所述过零触发光耦为能够检测到交流电的过零点的光耦。

现有的可控硅的功率控制方式中，通常设有过零检测电路，通过捕捉交流电电压的过零点来获取可控硅的开通时机，以控制负载电压，进而调整负载功率。过零检测电路通常需要至少一个隔离元件，过零检测电路成本较高。

有鉴于此特提出本发明。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种可控硅控制方法及装置，能够有效控制负载电压，实现对负载功率的精确调整，同时本发明中不需要过零检测电路，有效降低了电路成本。

为解决上述技术问题，本发明采用技术方案的基本构思是：

一种可控硅控制方法，向可控硅的控制极提供让可控硅导通的触发信号，触发信号的控制频率fb与交流电频率fac之间具有频率差值fd，所述频率差值fd不为0，通过调整频率差值fd对负载功率进行调整。

优选的，可控硅为单向可控硅，触发信号的控制频率fb与交流电频率fac之间的频率差值fd小于交流电频率fac。

优选的，触发信号的控制频率fb大于交流电频率fac，在交流电每个正半周内向单向可控硅控制极提供触发信号。

优选的，可控硅为双向可控硅，在交流电的每个半波周期内向双向可控硅控制极提供触发信号，触发信号的控制频率fb与交流电半波频率2*fac之间的频率差值fd2小于交流电半波频率2*fac。

优选的，触发信号的控制频率大于交流电半波频率2*fac，在交流电每个半波周期内向双向可控硅控制极提供触发信号。