[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供晶圆结构，所述晶圆结构包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一衬底、第一绝缘层以及功能层，所述第一衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面，所述第一绝缘层形成在所述第一表面上，所述功能层形成在所述第二表面上，所述功能层包括第一钝化层，所述第一钝化层层叠在所述第一衬底上；

在所述第一绝缘层与所述第一衬底内形成接触孔，所述接触孔露出所述功能层，其中，选择性刻蚀所述第一衬底与所述第一绝缘层，以使得所述接触孔在贯穿所述第一绝缘层与所述第一衬底后，停止在所述第一钝化层表面；

在所述接触孔内形成第一触点，所述第一触点与所述功能层平齐。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述功能层之后，所述制备方法还包括：

在所述功能层上形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔露出所述第一触点，所述第二过孔露出所述第一衬底。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述功能层还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层形成在所述第一钝化层上，所述第二绝缘层背离所述第一钝化层的表面上层叠有第二衬底；

“在所述功能层上形成第一过孔和第二过孔”包括：

从所述第二衬底背离所述第二绝缘层的表面去除部分所述第二衬底以形成参考衬底，其中，所述参考衬底的厚度小于所述第二衬底的厚度；

去除所述参考衬底；

在所述第二绝缘层与所述第一钝化层上形成所述第一过孔和所述第二过孔。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一过孔和所述第二过孔之后，所述制备方法还包括：

在所述第一过孔内形成第一连接结构，以及在所述第二过孔内形成第二连接结构，其中，所述第一连接结构连接所述第一触点，所述第二连接结构连接所述第一衬底。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一连接结构与所述第二连接结构之后，所述制备方法还包括：

在所述第一连接结构、所述第二连接结构以及所述第二绝缘层上依次形成平坦层、第二钝化层以及保护层，其中，所述平坦层、第二钝化层以及保护层上形成有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔露出所述第一连接结构，所述第二通孔露出所述第二连接结构。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述存储单元阵列还包括多个栅极层与多个沟道结构，多个所述栅极层间隔位于所述第一绝缘层之内，且多个所述栅极层形成台阶状；每个所述沟道结构均贯穿多个所述栅极层；

所述存储单元阵列还包括第一键合层，所述第一键合层设于所述第一绝缘层上，所述第一绝缘层内还设有多个第一布线、多个第二触点，多个所述第二触点各连接一个所述栅极层后连接在一个所述第一布线上，多个所述沟道结构连接在一个所述第一布线上，每个所述第一触点连接在一个所述第一布线上；

所述晶圆结构还包括外围电路，所述外围电路包括第三衬底、设于所述第三衬底上的外围互连层与设于所述外围互连层上的第二键合层，所述外围互连层内设有多个间隔设置的第二布线；所述第一键合层与所述第二绝缘层键合连接，多个所述第一布线与多个所述第二布线对应连接。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一触点的材质为钨，所述第一连接结构和所述第二连接结构的材质均为铝；所述第一钝化层和所述第二钝化层的材质均为氮化硅；所述第一衬底的材质为非晶硅；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质为均二氧化硅；所述平坦层的材质为二氧化硅。

8.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器由权利要求1-7任一项所述的制备方法制备形成。