[发明专利]一种用于系统级封装的硅通孔转接板

权利要求书

1.一种用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括硅基衬底板(1)；

所述硅基衬底板(1)的顶端和底端分别设置第一钝化层和第二钝化层；所述第一钝化层上开设若干第一插塞孔，所述第一插塞孔内设置第一插塞，所述第二钝化层上开设若干第二插塞孔，所述第二插塞孔内设置第二插塞；

所述第一钝化层和第二钝化层的表面分别设置第一RDL布线层和第二RDL布线层；所述第一RDL布线层上设置若干金属互连线(4)，所述若干金属互连线(4)分别与若干第一插塞连接；所述第二RDL布线层上设置若干微凸点(5)，所述若干微凸点(5)分别与若干第二插塞连接；

所述硅基衬底板(1)上间隔设置若干隔离沟槽(6)，所述隔离沟槽(6)内填充二氧化硅；所述硅基衬底板(1)上间隔开设若干TSV孔(8)，所述TSV孔(8)内填充多晶硅材料及若干聚酰亚胺层(10)；所述若干聚酰亚胺层(10)沿所述TSV孔(8)轴向间隔布置；所述TSV孔(8)两端分别连通所述第一插塞孔和所述第二插塞孔。

2.根据权利要求1所述的用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层均由二氧化硅材料沉积形成。

3.根据权利要求1所述的用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，所述TSV孔(8)内还填充有金属材料，所述金属材料与所述多晶硅材料混合。

4.根据权利要求3所述的用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，所述金属材料为Au、Pt和Pd中的一种或几种。

5.根据权利要求4所述的用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，所述金属材料相对于所述多晶硅材料的掺杂浓度为7×10¹⁷～2×10¹⁹cm^-3。

6.根据权利要求1所述的用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，所述聚酰亚胺层(10)上端面设置金属膜层，所述金属膜层与所述多晶硅材料混合。

7.根据权利要求1所述的用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，所述TSV孔(8)的内壁上设置绝缘层(11)。

8.根据权利要求1所述的用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，所述硅基衬底板(1)的厚度为300～400μm。

9.根据权利要求1所述的用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，所述微凸点(5)采用铜材料制作。