[发明专利]一种双控保护型高压控制电路在审
| 申请号: | 202110128898.0 | 申请日: | 2021-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN112802714A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
| 发明(设计)人: | 许杰;吴晓峰;高纪凡;冯玟生 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号: | H01H47/00 | 分类号: | H01H47/00;H01H47/02;H01H47/32;H01M10/42;H02J7/00 |
| 代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
| 地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 保护 高压 控制电路 | ||
1.一种双控保护型高压控制电路,其特征在于,包括依次连接的双控单元、处理单元和用于控制高压接入和断开的双刀双掷继电器K1,所述双控单元包括通信连接的控制单元A和控制单元B,控制单元A和控制单元B分别单独控制双刀双掷继电器K1线圈的一极;所述处理单元包括可以接收双控单元输出控制信号的反相器,所述反相器的输出信号通过输入到MOS管控制双刀双掷继电器K1;所述处理单元还包括与控制单元连接的反馈信号检测电路。
2.根据权利要求1所述的一种双控保护型高压控制电路,其特征在于,所述控制单元A输出控制信号到反相器D1,所述反相器D1输出电平信号至MOS管V2,通过控制MOS管V2的状态,控制所述双刀双掷继电器K1的1脚的电平状态。
3.根据权利要求1所述的一种双控保护型高压控制电路,其特征在于,所述处理单元还包括与控制单元B连接的双频非可再触发单稳态多谐振荡器D3,所述双频非可再触发单稳态多谐振荡器D3带复位功能。
4.根据权利要求3所述的一种双控保护型高压控制电路,其特征在于,所述控制单元B输出的控制信号连接到反相器D2和双频非可再触发单稳态多谐振荡器D3,所述反相器D2和双频非可再触发单稳态多谐振荡器D3输出电平信号到MOS管,通过控制MOS管的状态,控制双刀双掷继电器K1的12脚的电平状态。
5.根据权利要求4所述的一种双控保护型高压控制电路,其特征在于,所述双频非可再触发单稳态多谐振荡器D3输出电平信号脉冲的持续时间由电阻R7和电容C2构成的RC频率器决定。
6.根据权利要求4所述的一种双控保护型高压控制电路,其特征在于,所述控制单元B输出控制信号为低电平时,双频非可再触发单稳态多谐振荡器D3输出高电平脉冲驱动MOS管V10导通接地,促使MOS管V8导通,启动电源VCC_H2经防反二极管V5输入到双刀双掷继电器K1的12脚,使双刀双掷继电器K1的12脚呈现高电平;同时反相器D2输出高电平信号到MOS管V6,驱动MOS管V6的导通接地,促使MOS管V3导通,供电电源VCC_H1经防反二极管V5输入到双刀双掷继电器K1的12脚,双刀双掷继电器K1的12脚维持高电平。
7.根据权利要求6所述的一种双控保护型高压控制电路,其特征在于,所述控制单元B输出控制信号为高电平或不输出电平时,双频非可再触发单稳态多谐振荡器D3为低电平状态,MOS管V10处于截止状态,双刀双掷继电器K1的12脚处于悬空状态;同时反相器D2输出低电平信号,所述MOS管V6处于截止状态,双刀双掷继电器K1的12脚处于悬空状态。
8.根据权利要求7所述的一种双控保护型高压控制电路,其特征在于,所述供电电源VCC_H1比启动电源VCC_H2的电压值小。
9.根据权利要求1所述的一种双控保护型高压控制电路,其特征在于,所述控制单元A和控制单元B通过串口,和/或,SPI,和/或,CAN进行通信和数据交互。
10.根据权利要求1所述的一种双控保护型高压控制电路,其特征在于,所述控制单元A和控制单元B输出的控制信号分别通过连接上拉电阻接入电源。
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