[发明专利]峰值电流限制电路、DC-DC转换装置及电源

权利要求书

1.一种峰值电流限制电路，其特征在于，包括：电流采样模块和电流限制模块，其中：

所述电流采样模块，用于通过第一压控电阻将电感电流在上管产生的导通压降转化为与所述电感电流相关的第一采样电流；

所述电流限制模块的输入端与所述电流采样模块连接，所述电流限制模块用于比较所述第一采样电流与基准电流，并根据比较结果输出峰值电流限制信号给逻辑模块，以使所述逻辑模块在所述峰值电流限制信号的作用下进行逻辑运算并输出驱动信号，所述驱动信号用于控制所述上管的导通和关断；

DC-DC转换装置包括由所述上管和下管串联组成的电路；

所述电流限制模块包括：求和电路和比较器，其中：

所述求和电路，用于对所述第一采样电流、来自振荡器斜坡补偿模块的斜坡补偿电流和来自偏置模块的偏置电流进行求和处理，得到采样电压输出给所述比较器的同相端，得到基准电压输出给所述比较器的反相端；

所述比较器用于对两路电压进行比较，输出所述峰值电流限制信号。

2.根据权利要求1所述的峰值电流限制电路，其特征在于，所述电流采样模块包括：第一功率采样管、第二功率采样管、第一压控电阻、第二压控电阻、第一电阻、第二电阻、第一MOS管、第二MOS管、电流镜、第九MOS管，其中：

所述第一功率采样管的源极与所述上管的源极连接，所述第一功率采样管的栅极接地，第一功率采样管的漏极与所述第二功率采样管的源极连接；

所述第二功率采样管的源极作为所述电流采样模块的输入端，所述第二功率采样管的漏极分别与所述上管的漏极及下管的漏极连接，所述第二功率采样管的栅极与所述上管的栅极连接；

所述第一压控电阻与所述第一电阻并联，二者的一端与所述第一功率采样管的漏极连接，二者的另一端与所述第一MOS管的源极连接；

所述第二压控电阻与所述第二电阻并联，二者的一端接芯片输入电压，二者的另一端与所述第二MOS管的源极连接；

所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极与所述第二MOS管的漏极连接；

所述电流镜的第一端分别与所述第一MOS管的漏极及所述第九MOS管的栅极连接，所述电流镜的第二端与所述第二MOS管的漏极连接；所述电流镜的第三端与偏置模块连接；

所述第九MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接，所述第九MOS管的漏极作为所述电流采样模块的输出端。

3.根据权利要求2所述的峰值电流限制电路，其特征在于，所述电流镜包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管，其中：

所述第三MOS管的漏极作为所述电流镜的第三端；

所述第四MOS管的漏极作为所述电流镜的第一端；

所述第五MOS管的漏极作为所述电流镜的第二端；

所述第三MOS管的漏极、所述第三MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极、所述第五MOS管的栅极连接；

所述第三MOS管的源极与所述第六MOS管的漏极连接；

所述第四MOS管的源极与所述第七MOS管的漏极连接；

所述第五MOS管的源极与所述第八MOS管的漏极连接；

所述第六MOS管的漏极、所述第六MOS管的栅极、所述第七MOS管的栅极、所述第八MOS管的栅极连接；

所述第六MOS管的源极、所述第七MOS管的源极、所述第八MOS管的源极接地。