[发明专利]阵列基板及反射式的显示面板在审

专利信息
申请号: 202110127358.0 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN112782896A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 廖力勍;李红敏;冯思林;王迎;唐锋景 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 杨广宇
地址: 230012 安*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阵列 反射 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括:衬底;位于所述衬底上的多条数据线和多个子像素,每个所述子像素包括:反射式的像素电极和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的第一极与一条所述数据线连接,所述薄膜晶体管的第二极与所述像素电极连接;其特征在于,

所述数据线包含第一数据线和第二数据线,所述第一数据线与所述子像素中的薄膜晶体管的第一极连接,所述第二数据线与所述子像素相邻的子像素中的薄膜晶体管的第一极连接;

其中,在所述衬底上,所述子像素中的像素电极的正投影,和所述子像素中的薄膜晶体管的第一极以及与所述第一极连接的第一数据线的正投影存在第一交叠区域,且和所述第二数据线的正投影存在第二交叠区域。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极中与所述第一交叠区域对应的部分,和相互连接的所述第一极和所述第一数据线中与所述第一交叠区域对应的部分形成第一寄生电容,且所述像素电极中与所述第二交叠区域对应的部分,和所述第二数据线中与所述第二交叠区域对应的部分形成第二寄生电容,所述第一寄生电容的电容值等于所述第二寄生电容的电容值。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的第一极和第二极,与所述多条数据线同层设置,且材料相同;

在所述衬底上,所述像素电极的正投影与相互连接的所述第一极和所述第一数据线的正投影交叠的第一交叠区域的面积为第一面积;

在所述衬底上,所述像素电极的正投影与所述第二数据线的正投影交叠的第二交叠区域的面积为第二面积;

所述第一面积等于所述第二面积。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多个子像素沿第一方向排布为多列,且沿第二方向排布为多行,所述数据线整体上在所述衬底上沿着所述第二方向延伸;

所述多个子像素包含位于同一行中且相邻的第一子像素和第二子像素,所述数据线具有:延伸到所述第一子像素中且被所述第一子像素中的像素电极覆盖的第一部分,以及延伸到所述第二子像素中且被所述第二子像素中的像素电极覆盖的第二部分,所述第一部分在所述衬底上的正投影位于所述第一子像素中的所述第一交叠区域内,所述第二部分在所述衬底上的正投影位于所述第二子像素中的所述第二交叠区域内。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线包括:依次相连接的多个直线延伸部和多个曲线延伸部,每个所述曲线延伸部具有开口;

其中,所述多个直线部均位于第一子像素列和第二子像素列之间,所述第一子像素列为包含所述第一子像素的一列子像素,所述第二子像素列为包含所述第二子像素的一列子像素;

所述第一部分包括至少一个所述曲线延伸部,所述第二部分包括至少一个所述曲线延伸部,且所述第一部分中的曲线延伸部的开口的方向,与所述第二部分中的曲线延伸部的开口的方向相反。

6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线包括:依次相连接的多个第一直线延伸部和多个第二直线延伸部,且所述多个第一直线延伸部和所述多个第二直线延伸部一一交错排布,任意两个相连接的所述第一直线延伸部与所述第二直线延伸部的延伸方向相交;

其中,所述多个子像素排布为多列,在所述衬底上,同一条所述数据线中相邻的两个所述第一直线延伸部中,一个所述第一直线延伸部的正投影与第一子像素列中的像素电极的正投影交叠,另一个所述第一直线延伸部的正投影与第二子像素列中的像素电极的正投影交叠;

在所述衬底上,所述数据线中的所述第二直线延伸部的正投影,分别与所述第一子像素列中的像素电极的正投影和所述第二子像素列中的像素电极的正投影交叠;

所述第一子像素列为包含所述第一子像素的一列子像素,所述第二子像素列为包含所述第二子像素的一列子像素;

所述多个第一直线延伸部的延伸方向均与所述第二方向平行,所述多个第二直线延伸部的延伸方向均与所述第一方向平行。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110127358.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top