[发明专利]集成电路以及调节电源电压的方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

金属轨，包括连接第一功能电路的第一点和连接第二功能电路的第二点；以及

电压调节器，耦合在所述金属轨的所述第一点和所述金属轨的所述第二点之间，所述电压调节器用于：

感测所述金属轨的所述第二点处的电压，以及

根据在所述金属轨的所述第二点处感测的所述电压，调节所述金属轨的所述第一点处的电源电压，

其中，所述电压调节器包括：

第一晶体管，包括：

漏电极，耦合到所述金属轨的所述第一点，和

栅电极，耦合到所述金属轨的所述第二点，

其中，所述第一晶体管用于：

通过所述栅电极感测所述第二点处的所述电压，和

根据在所述第二点处感测的所述电压，通过所述漏电极调节所述金属轨的所述第一点处的所述电源电压。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一功能电路和所述第二功能电路中的每个均包括有源电路。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述栅电极通过导线或导电迹线直接耦合到所述金属轨的所述第二点。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述电压调节器包括：

第二晶体管，包括耦合到所述第一晶体管的源电极的漏电极，所述第二晶体管根据控制信号来使能或禁用通过所述第一晶体管的电流。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述第二晶体管包括耦合到另一金属轨的源电极，所述源电极在所述另一金属轨处提供高于所述电源电压的另一电压。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述第一晶体管是P型晶体管。

7.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述第二晶体管包括耦合到另一金属轨的源电极，所述源电极在所述另一金属轨处提供低于所述电源电压的另一电压。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述第一晶体管是N型晶体管。

9.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述电压调节器包括：

第三晶体管，并联耦合到所述第一晶体管，第一晶体管为第一类型，并且第二晶体管为第二类型。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述第三晶体管包括：

源电极，耦合到所述第一晶体管的所述漏电极，以及

漏电极，耦合到所述第一晶体管的所述源电极。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中，所述第三晶体管包括：

栅电极，耦合到所述第二晶体管的源电极。

12.根据权利要求10所述的集成电路，其中，所述第三晶体管包括：

栅电极，耦合到所述第二晶体管的所述漏电极。

13.一种集成电路，包括：

第一晶体管，耦接在第一金属轨和第二金属轨之间；以及

第二晶体管，耦合在所述第二金属轨和第三金属轨之间，所述第三金属轨耦合到一个或多个功能电路，所述第二晶体管用于：

由于所述一个或多个功能电路，感测耦合到所述第三金属轨的所述第二晶体管的源电极处的第一电压与耦合到所述第一金属轨或所述第二金属轨的所述第二晶体管的栅电极处的第二电压之间的差的改变，和

根据感测的所述差的所述改变，调节所述第二晶体管的漏电极处的第三电压。

14.根据权利要求13所述的集成电路，还包括：

第三晶体管，在所述第二金属轨和所述第三金属轨之间并联耦合到所述第二晶体管，所述第二晶体管为第一类型，所述第三晶体管为第二类型。

15.根据权利要求14所述的集成电路，其中，所述第一晶体管为第二类型。