[发明专利]一种改进生长碳化硅单晶质量的装置及方法

权利要求书

1.一种改进生长碳化硅单晶质量的装置，其特征在于：包括设于石墨坩埚内的石墨盖、籽晶以及粘合在石墨盖和籽晶之间的多晶碳化硅片，该碳化硅片的横截面面积大于籽晶的横截面面积而小于石墨坩埚的底面积。

2.根据权利要求1所述的一种改进生长碳化硅单晶质量的装置，其特征在于：所述多晶碳化硅片为圆盘状，其直径大于三倍的籽晶直径而小于石墨坩埚的内径。

3.根据权利要求2所述的一种改进生长碳化硅单晶质量的装置，其特征在于：所述多晶碳化硅片的厚度为1-1.2mm。

4.根据权利要求1所述的一种改进生长碳化硅单晶质量的装置，其特征在于：所述多晶碳化硅片与石墨盖以及籽晶之间以碳基胶水粘合。

5.一种改进生长碳化硅单晶质量的方法，其特征在于：所述方法在石墨盖和籽晶之间增加一多晶碳化硅层，并将多晶碳化硅层的尺寸进行了设置：石墨坩埚的底面积＞碳化硅片的横截面面积＞籽晶的横截面面积。

6.根据权利要求5所述的一种改进生长碳化硅单晶质量的方法，其特征在于：所述多晶碳化硅片为圆盘状，其厚度为1-1.2mm，其直径为：石墨坩埚内径＞多晶碳化硅层直径＞3×籽晶直径。

7.根据权利要求5所述的一种改进生长碳化硅单晶质量的方法，其特征在于：所述多晶碳化硅片与石墨盖以及籽晶之间以碳基胶水粘合。

8.根据权利要求5所述的一种改进生长碳化硅单晶质量的方法，其特征在于：所述籽晶在与多晶碳化硅片粘合之前进行化学机械抛光处理。