[发明专利]一种氧化镓晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110125086.0 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885893A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 于洪宇;曾凡明;葛琪;汪青 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化镓晶体管，其特征在于，所述氧化镓晶体管包括由衬底依次连接的Ga2O3层以及(AlxGa1-x)2O3层，所述(AlxGa1-x)2O3层内部掺杂有掺杂元素，0＜x＜1。
2.根据权利要求1所述的氧化镓晶体管，其特征在于，所述掺杂元素的掺杂浓度由所述Ga2O3层与(AlxGa1-x)2O3层的接触面至所述(AlxGa1-x)2O3层中心处逐渐升高；
优选地，所述掺杂元素的掺杂浓度在所述Ga2O3层与(AlxGa1-x)2O3层的接触面为0cm-3；
优选地，所述掺杂元素的掺杂浓度在所述(AlxGa1-x)2O3层中心处为1×1018～1×1019cm-3。
优选地，所述掺杂元素包括Si、Ge或Sn中的任意一种或至少两种的组合。
3.根据权利要求1或2所述的氧化镓晶体管，其特征在于，所述衬底包括Fe掺杂的(010)β-Ga2O3衬底；
优选地，所述Ga2O3层包括β-Ga2O3层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的氧化镓晶体管，其特征在于，所述衬底的厚度为600～700μm；
优选地，所述Ga2O3层的厚度为60～80nm；
优选地，所述(AlxGa1-x)2O3层的厚度为20～30nm。
5.一种权利要求1-4任一项所述的氧化镓晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
在衬底上采用氧等离子体辅助的分子束外延方法生长Ga2O3层，在所述Ga2O3层上继续采用氧等离子体辅助的分子束外延方法生长(AlxGa1-x)2O3层，所述(AlxGa1-x)2O3层生长过程中由生长起始阶段渐变掺杂掺杂元素至(AlxGa1-x)2O3生长至中心处。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，生长所述Ga2O3层过程中Ga的流量为7×10-8～9×10-8Torr；
优选地，所述氧等离子体的功率为200～400W；
优选地，反应腔室的压力为1×10-5～2×10-5Torr。
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