[发明专利]半导体元件

说明书

本揭露内容涉及具有背侧源极/漏极触点的半导体元件。此半导体元件包含具有顶部表面及底部表面的源极/漏极特征、形成为与源极/漏极特征的顶部表面接触的第一硅化物层、形成在第一硅化物层上的第一导电特征、及第二导电特征，此第二导电特征具有主体部分及从主体部分延伸的第一侧壁部分，其中主体部分在源极/漏极特征的底部表面下方，且第一侧壁部分与第一导电特征接触。

技术领域

本揭露内容是关于一种半导体元件。

背景技术

归因于各种电子组件的集成密度不断提高，半导体产业经历了连续的快速成长。在大多数情况下，此在集成密度上的改善来自最小特征尺寸的不断减小，而允许将更多的组件整合入给定的晶片面积中。随着最小特征尺寸减少，金属连接层中的金属层配线亦变得更加复杂。因而，具有解决以上问题的需要。

发明内容

本揭露内容的一些实施例提供半导体元件。此半导体元件包含具有顶部表面及底部表面的源极/漏极特征、形成为与源极/漏极特征的顶部表面接触的第一硅化物层、形成在第一硅化物层上的第一导电特征、及第二导电特征，此第二导电特征具有主体部分及从主体部分延伸的第一侧壁部分，其中主体部分在源极/漏极特征的底部表面下方，且第一侧壁部分与第一导电特征接触。

附图说明

当与附图一起阅读时，可由后文实施方式最佳地理解本揭露内容的态样。注意到根据此行业中的标准实务，各种特征并未按比例绘制。实际上，为了论述的清楚性，可任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1至4、图5A至5D至图18A至18D、图19A至19B、图20A至20D至图25A至25D、图26A至26G、图27A至27D、及图28A至28C示意性地例示根据本揭露内容的实施例的制造半导体元件的各种阶段。

【符号说明】

H1～H6:高度

L1～L2:长度

W1～W4:宽度

X-X,Y1-Y1～Y3-Y3:线

X,Y,Z:方向

10:基材

10b:背表面

10f:前表面

12:绝缘体结构

14:缓冲层

20:半导体堆叠

22:第一半导体层

24:第二半导体层

30:半导体鳍状结构

32:阱部分

34:综合式鳍状结构

36:绝缘层

40:牺牲栅极结构

42:牺牲栅极介电层

44:牺牲栅极电极层

46:垫层

48:遮罩层

50:侧壁间隔件

52,54:源极/漏极空间

56:保护层

58:对准凹陷

60:背侧触点对准特征

62:内部间隔件

64:过渡磊晶层

66:磊晶源极/漏极特征