[发明专利]一种同轴生长PNP双色外延结构

权利要求书

1.一种同轴生长PNP双色外延结构，其特征在于，包括：

衬底；

P型第一色掺杂半导体层，生长于衬底上；

第一色发光层，生长于所述P型第一色掺杂半导体层上；

N型第一色掺杂半导体层，生长于所述第一色发光层上；

第二色发光层，生长于所述N型第一色掺杂半导体层上；

P型第二色掺杂半导体层，生长于所述第二色发光层上。

2.根据权利要求1所述的同轴生长PNP双色外延结构，其特征在于，P型第一色掺杂半导体层从下往上依次包括：P型第一色掺杂半导体子层和P型第一电子阻挡层。

3.根据权利要求2所述的同轴生长PNP双色外延结构，其特征在于，P型第一色掺杂半导体子层的厚度大于所述P型第一电子阻挡层的厚度；P型第一色掺杂半导体子层的掺杂浓度大于所述P型第一单子阻挡层的掺杂浓度。

4.根据权利要求3所述的同轴生长PNP双色外延结构，其特征在于，所述P型第一色掺杂半导体子层的材料为GaN，其厚度为40～4000nm，掺杂浓度为5E19atoms/cm³～1.5E21atoms/cm³；

所述P型第一电子阻挡层的材料为pAlGaN、pAlInGaN、pInGaN的单层或多层、或这些材料的超晶格结构，厚度为10～70nm；掺杂浓度为2E19atoms/cm³～1.5E20atoms/cm³。

5.根据权利要求1所述的同轴生长PNP双色外延结构，其特征在于，所述第一色发光层为多周期量子阱发光结构。

6.根据权利要求5所述的同轴生长PNP双色外延结构，其特征在于，所述多周期量子阱发光结构为In_bAl_aGa_1-b-aN/In_bAl_aGa_1-b-aN)_n，n为周期数；In的组分b为0～1，Al的组分a为0～1；势阱的厚度为2.0～4.0nm，势垒的厚度为4～15nm；周期数为6～12。

7.根据权利要求1所述的同轴生长PNP双色外延结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体层与所述第一色发光层之间还生长有第一多周期应力调节层。

8.根据权利要求7所述的同轴生长PNP双色外延结构，其特征在于，所述第一多周期应力调节层的结构为(Al_xIn_yGa_1-x-yN/Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N)_n；其中，n为周期数。

9.根据权利要求8所述的同轴生长PNP双色外延结构，其特征在于，所述周期n小于5，x为0～0.5，x1为0～0.5，y为0～0.5，y1为0～0.5。

10.根据权利要求8所述的同轴生长PNP双色外延结构，其特征在于，Al_xIn_yGa_1-x-yN的厚度大于Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N的厚度。

11.根据权利要求10所述的同轴生长PNP双色外延结构，其特征在于，Al_xIn_yGa_1-x-yN的厚度为2.0～20nm，Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N的厚度为1.0～3.0nm。