[发明专利]一种同轴生长NPN双色外延结构在审
| 申请号： | 202110123566.3 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112951958A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李起鸣;游正璋 | 申请（专利权）人： | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200013 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 同轴 生长 npn 外延 结构 | ||
1.一种同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，包括：
衬底；
N型第一色掺杂半导体层，生长于所述衬底上；
第一色发光层，生长于所述N型第一色掺杂半导体层上；
P型第一色掺杂半导体层，生长于所述第一色发光层上；
第二色发光层，生长于所述P型第一色掺杂半导体层上；
N型第二色掺杂半导体层，生长于所述第二色发光层上。
2.根据权利要求1所述的同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体层从下往上依次包括：N型第一色掺杂半导体第一层、电流扩散层、N型第一色掺杂半导体第二层。
3.根据权利要求1所述的同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体层与所述第一色发光层之间还生长有第一多周期应力调节层。
4.根据权利要求1所述的同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，所述P型第一色掺杂半导体层从下往上依次包括：P型电子阻挡第一层、P型第一色掺杂半导体子层和P型电子阻挡第二层。
5.根据权利要求3所述的同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，所述第二色发光层与所述N型第二色掺杂半导体层之间还生长有第二多周期应力调节层。
6.根据权利要求1所述的同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石、GaN、AlN、Si、SiC、中的一种或多种的复合。
7.根据权利要求2所述的同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体第一层的材料为GaN、AlGaN、AlInGaN的一种或多种；所述N型第一色掺杂半导体第二层的材料为GaN、AlGaN、AlInGaN的一种或多种；所述电流扩散层的材料为单周期或多周期调变的GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、InN复合而成。
8.根据权利要求2所述的同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度大于所述N型第一色掺杂半导体第二层中的掺杂浓度；所述电流扩散层中的掺杂浓度小于所述N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度。
9.根据权利要求8所述的同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度为1.5E19～3E19atoms/cm3；所述N型第一色掺杂半导体第二层中的掺杂浓度为1E18～3E18atoms/cm3；所述电流扩散层中的掺杂浓度为5E17～8E17atoms/cm3。
10.根据权利要求2所述的同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体第一层的厚度大于所述电流扩散层的厚度，所述N型第一色掺杂半导体第二层的厚度大于所述电流扩散层的厚度；所述N型第一色掺杂半导体第一层的厚度与所述N型第一色掺杂半导体第二层的厚度相同。
11.根据权利要求3所述的同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，所述第一多周期应力调节层的结构为(AlxInyGa1-x-yN/Alx1Iny1Ga1-x1-y1N)n；其中，n为周期数。
12.根据权利要求11所述的同轴生长NPN双色外延结构，其特征在于，所述周期n小于5，x为0～0.5，x1为0～0.5，y为0～0.5，y1为0～0.5。
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