[发明专利]一种Ag/C60

权利要求书

1.一种Ag/C₆₀/P3HT/n-GaN/In平面型异质结材料，其特征在于，包括：衬底、n-GaN薄膜层、P3HT层、C₆₀层、Ag层和In电极；

所述衬底的材质为蓝宝石；所述n-GaN薄膜层设置在所述衬底上；所述P3HT层和In电极设置在所述n-GaN薄膜层上；所述C₆₀层设置在所述P3HT层上；所述Ag层设置在所述C₆₀层上；

其中，通过两步退火法，使n-GaN薄膜层与In电极之间形成欧姆接触：第一步200℃退火5min，第二步300℃退火8min。

2.按照权利要求1所述的Ag/C₆₀/P3HT/n-GaN/In平面型异质结材料，其特征在于：所述n-GaN薄膜层的厚度为1～2μm，所述P3HT层厚度为80～120nm，所述C₆₀层厚度为30～70nm，所述Ag层厚度为80～120nm。

3.按照权利要求1所述的Ag/C₆₀/P3HT/n-GaN/In平面型异质结材料，其特征在于：所述n-GaN薄膜层的厚度为1.5μm，所述P3HT层厚度为100nm，所述C₆₀层厚度为50nm，所述Ag层厚度为100nm。

4.权利要求1所述的Ag/C₆₀/P3HT/n-GaN/In平面型异质结材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)利用MOCVD在衬底上生长n-GaN薄膜层；

(2)在n-GaN薄膜层上旋凃P3HT溶液得到P3HT层；

(3)在P3HT层上蒸镀C₆₀得到C₆₀层，在C₆₀层上蒸镀Ag得到Ag层；

(4)将步骤(3)制得的材料和铟一起放入快速退火炉，在氮气氛围中以两步法退火在n-GaN薄膜层上制备得到In电极，第一步200℃退火5min，第二步300℃退火8min；即得Ag/C₆₀/P3HT/n-GaN/In平面型异质结材料。

5.按照权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，利用MOCVD在衬底上生长n-GaN薄膜层之后，再用丙酮、酒精和去离子水分别进行超声波清洗，再在紫外线清洗机中清洗。

6.按照权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，先将P3HT溶于氯苯中得到质量分数为1.1wt％的P3HT溶液，再以1500rpm/s的转速在n-GaN薄膜层上旋凃P3HT溶液60s得到P3HT层。

7.按照权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，制备好P3HT层之后，将材料在140～145℃加热10min以将氯苯蒸发掉。

8.按照权利要求7所述的制备方法，其特征在于：加热温度为142℃。

9.按照权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，利用金属有机蒸镀系统在P3HT层上蒸镀C₆₀得到C₆₀层，在C₆₀层上蒸镀Ag得到Ag层。