[发明专利]模拟晶圆芯片的电性的方法及半导体工艺方法

权利要求书

1.一种模拟晶圆芯片的电性的方法，其特征在于，包括：

构建数据库，所述数据库包括晶圆芯片经过目标关键工艺后所获得的半导体结构的光谱数据、所述晶圆芯片的实际电性数据以及所述光谱数据与所述实际电性数据之间的对应关系；

对目标晶圆芯片执行所述目标关键工艺，获取所述目标晶圆芯片经过所述目标关键工艺后所得的半导体结构的光谱数据，该光谱数据为目标光谱数据；

基于获取的所述目标光谱数据及所述数据库模拟出所述目标晶圆芯片的电性数据，该电性数据为目标电性数据。

2.根据权利要求1所述的模拟晶圆芯片的电性的方法，其特征在于，所述晶圆芯片的实际电性数据为所述晶圆芯片在经过所有工艺后测量出的电性数据。

3.根据权利要求2所述的模拟晶圆芯片的电性的方法，其特征在于，构建所述数据库包括：

收集多批次晶圆芯片在经过所述目标关键工艺后所获得的半导体结构的光谱数据；

收集各批次所述晶圆芯片的实际电性数据；

建立所述实际电性数据与所述光谱数据的对应关系；

验证所述实际电性数据与所述光谱数据的对应关系。

4.根据权利要求3所述的模拟晶圆芯片的电性的方法，其特征在于，验证所述实际电性数据与所述光谱数据的对应关系包括：

提供测试晶圆芯片；

对所述测试晶圆芯片执行所述目标关键工艺，获取所述测试晶圆芯片经过所述目标关键工艺后所得的半导体结构的光谱数据，该光谱数据为测试光谱数据；

通过所述测试光谱数据和所述数据库模拟出所述测试晶圆芯片的电性数据，该电性数据为测试电性数据；

将所述测试晶圆芯片执行所有工艺后，获得所述测试晶圆芯片的实际电性数据；

将所述测试电性数据和所述测试晶圆芯片的实际电性数据进行对比，以获得所述测试电性数据和所述实际电性数据的相关度值；

根据所述相关度值判断所述测试光谱数据和所述测试电性数据之间的对应关系是否可信。

5.根据权利要求4所述的模拟晶圆芯片的电性的方法，其特征在于，将所述测试电性数据和所述测试晶圆芯片的实际电性数据进行对比，以获得所述测试电性数据和所述实际电性数据的相关度值的公式为：

其中，Y_actual为实际电性数据，Y_predict为测试电性数据，Y_mean为实际电性数据的平均值，R²为相关度值。

6.根据权利要求4所述的模拟晶圆芯片的电性的方法，其特征在于，根据所述相关度值判断所述测试光谱数据和所述测试电性数据之间的对应关系是否可信包括：

所述相关度值大于或等于预设相关度值，则表明所述测试光谱数据和所述测试电性数据之间的对应关系可信；

所述相关度值小于所述预设相关度值，则表明所述测试光谱数据和所述测试电性数据之间的对应关系不可信。

7.根据权利要求6所述的模拟晶圆芯片的电性的方法，其特征在于，所述预设相关度值为0.7。

8.根据权利要求4所述的模拟晶圆芯片的电性的方法，其特征在于，根据所述相关度值判断所述测试光谱数据和所述测试电性数据之间的对应关系是否可信后还包括：

若所述测试光谱数据和所述测试电性数据之间的对应关系可信，则保留在所述数据库中；

若所述测试光谱数据和所述测试电性数据之间的对应关系不可信，则从所述数据库中删除。

9.根据权利要求1所述的模拟晶圆芯片的电性的方法，其特征在于，基于获取的所述目标光谱数据及所述数据库模拟出所述目标晶圆芯片的电性数据包括：

将获取的所述目标光谱数据与所述数据库中的光谱数据进行可信度匹配，以得到所述数据库中可信度大于或等于预设可信度的光谱数据；

基于所述数据库中可信度大于或等于所述预设可信度的光谱数据所对应的电性数据，以模拟出所述目标晶圆芯片的电性数据。