[发明专利]羟基聚硅氧烷的合成方法在审
| 申请号： | 202110118578.7 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112979957A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 彭派潜;唐建振;吴光飞;游正林;陈巧站;宾家辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市安品有机硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C08G77/38 | 分类号： | C08G77/38;C08G77/12 |
| 代理公司： | 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙) 44343 | 代理人： | 王杰辉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 羟基 聚硅氧烷 合成 方法 | ||
1.羟基聚硅氧烷的合成方法，其特征在于包括以下步骤：
惰性气体保护条件下，将反应物1与缓冲溶液、反应物2、阻聚剂及催化剂混合后升温反应，得到羟基聚硅氧烷；
所述反应物1的分子结构中至少具有一个羟基，以及至少一个(甲基)丙烯酸酯基；所述反应物2为至少具有一个与硅连接的氢基的有机聚硅氧烷。
2.如权利要求1所述的羟基聚硅氧烷的合成方法，其特征在于，所述反应物1由(甲基)丙烯酸与多元醇发生酯化反应得到。
3.如权利要求1所述的羟基聚硅氧烷的合成方法，其特征在于，所述缓冲溶液是在37℃下pH值为2.5-6的缓冲溶液。
4.如权利要求1所述的羟基聚硅氧烷的合成方法，其特征在于，所述升温反应的温度为40～60℃。
5.如权利要求3所述的羟基聚硅氧烷的合成方法，其特征在于，所述缓冲溶液由弱酸、弱酸的盐与有机溶剂配置得到，所述弱酸在水溶液中的25℃解离常数为2.5-6.5，所述弱酸的盐由弱酸与强碱中和反应后制得。
6.如权利要求3所述的羟基聚硅氧烷的合成方法，其特征在于，所述缓冲溶液由弱酸、强酸与有机溶剂配置得到，所述弱酸在水溶液中的25℃解离常数为2.5-6.5。
7.如权利要求5或6所述的羟基聚硅氧烷的合成方法，其特征在于，所述缓冲溶液的配置使用的有机溶剂为丁醇、乙醇、丙酮、甘油中的一种或几种。
8.如权利要求1-4任一项所述的羟基聚硅氧烷合成方法，其特征在于，所述缓冲溶液与反应物1的质量比为(0.3-1.6)：1。
9.如权利要求1-4任一项所述的羟基聚硅氧烷的合成方法，其特征在于，所述反应物2包括具有式1所示结构式的化合物：
式1中，所述m为大于1的整数，所述R为相同或不同的烷基、环烷基、芳基、芳烷基、烷氧基或卤代烷基。
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