[发明专利]有机发光显示面板及其制造方法和有机发光显示装置在审
申请号: | 202110116615.0 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN114823784A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 邹美玲 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 范亚红;钟宗 |
地址: | 201506 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本申请提供一种有机发光显示面板及其制造方法和有机发光显示装置,其中,有机发光显示面板包括:显示区和摄像区;摄像区和显示区均包括衬底基板以及形成于衬底基板上的多个像素单元,每个像素单元的有机发光二极管均包括阳极、有机发光层和阴极构成的层叠结构;在摄像区中,至少一个有机发光二极管的层叠结构为曲面结构或者波浪结构,曲面结构朝向衬底基板或者背向衬底基板。在本申请提供的有机发光显示面板及其制造方法和有机发光显示装置中,通过将摄像区的OLED器件设计为曲面结构或者波浪结构,以增大有效发光面积,由此提高摄像区OLED器件的光电性能和亮度,进而解决视差问题,提高用户的体验感。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光显示面板及其制造方法和有机发光显示装置。
背景技术
与诸多显示器件相比,有机发光显示器件(Organic Light Emitting Display,简称OLED)具有全固态、自发光、广视角、广色域、反应速度快、高发光效率、高亮度、高对比度、超薄超轻、低功耗、工作温度范围广、可制作大尺寸与可挠曲的面板及制程简单等诸多优点,能够实现真正意义上的柔性显示,最能符合人们对未来显示器的要求。
目前,OLED显示面板正在向高屏占比发展,流海屏、水滴屏以及全屏(即使用屏下摄像头)的技术应运而生。其中,屏下摄像头(Camera under panel,简称CUP)技术是在显示面板中设置一屏下摄像区域,所述屏下摄像区域在不拍照时可以正常显示屏幕内容,当拍照时则变成透明薄膜,以便于接收外界光线。由于通过这种特殊的设计可达到显示的功能,达到100%的屏占比,所以应用前景更为广泛。
然而,现有的OLED显示面板中由于阵列走线和不透明的反射层的存在,造成面板透过率较低,难以满足屏下摄像所需的面板透过率要求。为此,业界通常采用减小屏下摄像区域的像素面积,来减少不透明的反射层对光的阻挡。减小屏下摄像区域的像素面积主要有以下两种方法来实现:一种是减少像素数量,增加透光面积;另一种是维持像素总量的基础上,将单个像素的面积做小,再利用像素间的空隙来实现透光。但是,这两种方法都存在视差问题,即屏下摄像区域的亮度比其他显示区域要低,视觉上存在明显差异。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种有机发光显示面板及其制造方法和有机发光显示装置,以解决现有技术中屏下摄像头区的亮度比其他显示区域低而造成视差问题。
为解决上述技术问题,本发明提供的一种有机发光显示面板,所述有机发光显示面板包括:显示区和摄像区;
所述摄像区和所述显示区均包括衬底基板以及形成于所述衬底基板上的多个像素单元,所述多个像素单元呈阵列方式排列,每个像素单元均包括有机发光二极管和用于驱动所述有机发光二极管的像素电路,每个有机发光二极管均包括由阳极、有机发光层和阴极构成的层叠结构;
在所述摄像区的多个像素单元中,至少一个有机发光二极管的层叠结构为曲面结构或者波浪结构,所述曲面结构朝向所述衬底基板或者背向所述衬底基板。
可选的,在所述的有机发光显示面板中,所述曲面结构或者波浪结构对应于所述像素单元的像素开口,所述像素开口在所述衬底基板上的正投影为圆形、椭圆形或者长条形;
所述长条形的长度方向与所述像素单元的其中一边平行;或者
所述长条形的长度方向与所述像素单元的边缘具有一夹角。
可选的,在所述的有机发光显示面板中,所述有机发光层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光功能层、电子传输层以及电子注入层。
可选的,在所述的有机发光显示面板中,在所述显示区的多个像素单元中,每个有机发光二极管的层叠结构均为平面结构。
可选的,在所述的有机发光显示面板中,所述摄像区的像素密度小于所述显示区的像素密度,所述显示区与所述摄像区相邻,或者围绕于所述摄像区;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的