[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 202110116496.9 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN112951846B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 尚庭华;张毅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/131;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板的一侧形成依次层叠的有源层、第二栅绝缘层、栅极金属层和源漏极金属层;
以及,在所述栅极金属层和所述源漏极金属层之间形成依次层叠的无机绝缘层和有机平坦层;
其中,所述栅极金属层在所述衬底基板上的正投影与所述源漏极金属层在所述衬底基板上的正投影存在重叠部分,所述有机平坦层在所述衬底基板上的正投影与所述重叠部分重叠,所述衬底基板具有显示区,以及围绕所述显示区的非显示区,所述有机平坦层位于所述显示区,且未位于所述非显示区,所述显示面板具有贯穿所述有机平坦层、所述无机绝缘层和所述第二栅绝缘层的过孔,所述源漏极金属层通过所述过孔与所述有源层连接,所述过孔包括:贯穿所述有机平坦层的第一过孔,以及贯穿所述无机绝缘层和所述第二栅绝缘层的第二过孔;
所述在所述栅极金属层和所述源漏极金属层之间形成依次层叠的无机绝缘层和有机平坦层,包括:
在所述栅极金属层远离所述衬底基板的一侧形成无机材料层;
在所述无机材料层远离所述栅极金属层的一侧形成具有第一过孔的有机平坦层;
以所述有机平坦层作为保护层刻蚀所述无机材料层,形成具有第二过孔的无机绝缘层;
其中,所述第一过孔靠近所述衬底基板的开口在所述衬底基板上的正投影,与所述第二过孔远离所述衬底基板的开口在所述衬底基板上的正投影重合。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述源漏极金属层、所述栅极金属层和所述无机绝缘层中的每个膜层均分别位于所述显示区和所述非显示区。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述有机平坦层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述重叠部分。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述有机平坦层的材料的介电常数大于等于3,且小于等于4。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述栅极金属层包括:沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一栅极金属层和第二栅极金属层;所述无机绝缘层包括:
位于所述第一栅极金属层和所述第二栅极金属层之间的第一栅绝缘层;
以及,位于所述第二栅极金属层和所述源漏极金属层之间的层间介定层。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述显示面板还包括:
位于所述有源层和所述衬底基板之间的无机层基底;
以及,位于所述源漏极金属层远离所述衬底基板的一侧,且依次层叠的目标平坦层、像素电极和像素定义层。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述衬底基板的一侧形成依次层叠的栅极金属层和源漏极金属层,包括:
在所述衬底基板的一侧形成栅极金属层;
在所述栅极金属层远离所述衬底基板的一侧形成源漏极金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的