[发明专利]显示设备及制造显示设备的方法在审
申请号: | 202110115625.2 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN113394249A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 李智慧;金璟陪;郑美惠 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
1.显示设备,包括:
衬底,包括显示区域和非显示区域,所述显示区域包括多个像素区域,所述非显示区域位于所述显示区域的至少一侧处;
像素,在所述像素区域中的每一个中;以及
多个扇出线,在所述非显示区域中以形成第一导电层,
其中,所述像素包括:
像素电路层,包括数据线、至少一个晶体管、至少一个电容器以及第一桥接线和第二桥接线,以形成不同于所述第一导电层的第二导电层;以及
显示元件层,在所述像素电路层上,所述显示元件层包括多个发光元件,
其中,所述第一桥接线和所述第二桥接线中的每一个电连接到所述扇出线中的相应的扇出线。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述像素电路层包括依次设置在所述衬底上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层,
其中,所述显示元件层包括:
第一电极、第二电极和第三电极,在所述第四绝缘层上彼此隔开;
所述发光元件,在所述第一电极至所述第三电极之间;
第一子电极,通过穿透所述第四绝缘层的第一接触孔电连接至所述第一桥接线;以及
第二子电极,通过穿透所述第四绝缘层的第二接触孔电连接至所述数据线。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第一子电极和所述第二子电极中的每一个与所述第一电极至所述第三电极电分离。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第一子电极和所述第二子电极在与所述第一电极至所述第三电极相同的层处。
5.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第二电极通过穿透所述第四绝缘层的第三接触孔电连接到所述第二桥接线。
6.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述像素电路层包括:
扫描线,用于将扫描信号传送到所述像素;
所述数据线,用于将数据信号传送到所述像素;
电力线,用于将驱动电压传送到所述像素;以及
初始化电力线,用于将初始化电压传送到所述像素。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述第一电极与所述第一桥接线电分离,且所述第三电极与所述数据线电分离。
8.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述第一电极的至少一部分在平面图中与所述第一桥接线重叠,
所述第二电极的至少一部分在平面图中与所述第二桥接线重叠,以及
所述第三电极的至少一部分在平面图中与所述数据线重叠。
9.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述第一导电层在所述第一绝缘层上,且所述第二导电层在所述第三绝缘层上。
10.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述扫描线在与所述扇出线相同的层处,以及
所述数据线在与所述第一桥接线和所述第二桥接线相同的层处。
11.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述第一桥接线和所述第二桥接线以及所述数据线在一个方向上延伸,并且彼此隔开。
12.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述显示元件层还包括:
绝缘图案,在所述发光元件中的每一个的上表面上;以及
接触电极,在所述第一电极至所述第三电极中的每一个上。
13.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述第一电极上的所述接触电极、所述第二电极上的所述接触电极和所述第三电极上的所述接触电极在所述绝缘图案上,并且彼此隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的