[发明专利]一种近红外发光材料及其制备方法，以及近红外LED

权利要求书

1.一种近红外发光材料，其特征在于，具有式(1)所示结构：

A_3-xQ_xL_5-y-zM_yO₁₂:zCr³⁺ 式(1)；

其中，0.1≤x≤0.5，0.1≤y≤0.8，0.001≤z≤0.3；

A元素为稀土元素，选自La、Lu和Y中的一种或几种；

Q元素选自Sr和Ba中的一种或几种；

L元素为第三主族元素，选自Al和/或Ga；

M元素为Ge、Ti、Zr、Sn、Si和Hf中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，0.01≤z≤0.2。

3.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，0.05≤z≤0.1。

4.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述发光材料选自以下材料中的一种或几种：

Y_2.8Ba_0.2Al_4.75Ge_0.2O₁₂:0.05Cr、Y_2.8Sr_0.2Al_4.75Ge_0.2O₁₂:0.05Cr、Y_2.8Sr_0.2Al_4.75Ge_0.1Si_0.1O₁₂:0.05Cr、Y_2.8Sr_0.2Al_4.75Si_0.2O₁₂:0.05Cr、Y_2.5Sr_0.5Al_4.45Ge_0.5O₁₂:0.05Cr、Y_2.7Sr_0.2Ba_0.1Al_4.65Ge_0.3O₁₂:0.05Cr。

5.一种权利要求1～4中任一项所述的近红外发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)将含A元素的化合物、含Q元素的化合物、含L元素的化合物、含M元素的化合物和铬源化合物混合，得到混合物；

B)将所述混合物进行烧结，得到发光材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述含A元素的化合物选自A元素的氧化物、磷酸盐、草酸盐和硝酸盐中的一种或几种；

所述含Q元素的化合物选自Q元素的氧化物、氢氧化物、醋酸盐、碳酸盐、磷酸盐和硝酸盐中的一种或几种。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述含L元素的化合物选自L元素的氧化物、硝酸盐和磷酸盐中的一种或几种；

所述含M元素的化合物选自M元素的氧化物、磷酸盐和硝酸盐中的一种或几种；

所述铬源化合物选自铬的氧化物、磷酸盐和硝酸盐中的一种或几种。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述含A元素的化合物、含Q元素的化合物、含L元素的化合物、含M元素的化合物和铬源化合物的摩尔比为(1～2.9)∶(0.1～2)∶(2.7～5)∶(0.1～2)∶(0.001～0.3)。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为1400～1600℃，时间为2～8h。

10.一种近红外LED，其特征在于，包括蓝光芯片和封装所述LED的荧光粉；

所述荧光粉为权利要求1～4中任一项所述的近红外发光材料或权利要求5～9中任一项所述的制备方法制得的近红外发光材料。