[发明专利]EUV光掩模及其制造方法

权利要求书

1.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：

在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括：衬底、设置在所述衬底之上的反射多层、设置在所述反射多层之上的帽盖层、设置在所述帽盖层之上的中间层、设置在所述中间层之上的吸收体层、设置在所述吸收体层之上的覆盖层、以及设置在所述覆盖层之上的硬掩模层；

图案化所述光致抗蚀剂层；

通过使用经图案化的光致抗蚀剂层来图案化所述硬掩模层；

通过使用经图案化的硬掩模层来图案化所述覆盖层和所述吸收体层以形成开口；以及

去除所述硬掩模层，

其中，所述吸收体层包括A_xB_y，其中，A和B分别是Ir、Pt、Ru、Cr、Ta、Os、Pd、Al或Re中的一种或多种，并且x:y为0.25:1至4:1。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中间层在图案化所述吸收体层时用作蚀刻停止层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述覆盖层由与所述中间层相同的材料制成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述吸收体层包括由彼此不同的材料制成的两个层。

5.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：

在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括：衬底、设置在所述衬底之上的反射多层、设置在所述反射多层之上的阻挡层、设置在所述阻挡层之上的帽盖层、设置在所述帽盖层之上的中间层、设置在所述中间层之上的吸收体层、设置在所述吸收体层之上的覆盖层、以及设置在所述覆盖层之上的硬掩模层；

图案化所述光致抗蚀剂层；

通过使用经图案化的光致抗蚀剂层来图案化所述硬掩模层；

通过使用经图案化的硬掩模层来图案化所述覆盖层和所述吸收体层以形成开口；以及

去除所述硬掩模层，

其中，所述阻挡层包括氮化硅、BC、BN、CN或石墨烯中的一种或多种。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述吸收体层包括A_xB_y，其中，A和B分别是Ir、Pt、Ru、Cr、Ta、Os、Pd、Al或Re中的一种或多种，并且x:y为0.25:1到4:1。

7.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：

在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括：衬底、设置在所述衬底之上的第一反射多层、设置在所述第一反射多层之上的第一帽盖层、设置在所述第一帽盖层之上的第一蚀刻停止层、设置在所述第一蚀刻停止层之上的第二反射多层、设置在所述第二反射多层之上的第二帽盖层、设置在所述第二帽盖层之上的第二蚀刻停止层、以及在所述第二蚀刻停止层上的硬掩模层；

图案化所述光致抗蚀剂层；

通过使用经图案化的光致抗蚀剂层来图案化所述硬掩模层；

通过使用经图案化的硬掩模层来图案化所述第二蚀刻停止层、所述第二帽盖层和第二吸收体层以形成沟槽；以及

通过用EUV吸收材料填充所述沟槽来形成吸收体层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：在所述吸收体层和所述第二蚀刻停止层之上形成保护层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述吸收体层包括：

在所述沟槽中以及在所述第二蚀刻停止层之上形成所述EUV吸收材料的层；并且

执行化学机械抛光以暴露所述第二蚀刻停止层。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：在所述吸收体层上形成抗反射层。