[发明专利]一种声表滤波器结构及制造方法

权利要求书

1.一种声表滤波器结构，其特征在于，包括：

衬底，其上设有导线和电极；

金属线条区域，其部分覆盖于所述衬底的表面；

绝缘层，其覆盖于所述金属线条区域的表面；

金属层，其覆盖于所述导线和电极的表面。

2.根据权利要求1所述的声表滤波器结构，其特征在于，所述衬底包括：钽酸锂、铌酸锂、石英，或者，在硅衬底或者蓝宝石衬底上形成的压电薄膜。

3.根据权利要求1所述的声表滤波器结构，其特征在于，所述金属线条区域包括叉指换能器以及分布于所述叉指换能器两端的反射器。

4.根据权利要求3所述的声表滤波器结构，其特征在于，所述金属线条区域包括钛薄膜结构或者铝薄膜结构。

5.根据权利要求4所述的声表滤波器结构，其特征在于，所述钛薄膜结构的溅射厚度为5～50nm，所述铝薄膜结构的溅射厚度为50～500nm。

6.根据权利要求1至5任一项所述的声表滤波器结构，其特征在于，所述绝缘层包括：二氧化硅层、氮化硅层或氧化铝层中的至少一层。

7.根据权利要求6所述的声表滤波器结构，其特征在于，所述绝缘层的沉积厚度为100～1000nm。

8.根据权利要求1至5任一项所述的声表滤波器结构，其特征在于，所述金属层包括：钛层、铝层、铜层或金层中的至少一层。

9.根据权利要求8所述的声表滤波器结构，其特征在于，所述金属层的沉积厚度为1～3μm。

10.一种如权利要求1至9任一项所述的声表滤波器结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在衬底上形成金属线条区域；

沉积绝缘层；

沉积金属层。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在上述的衬底上形成金属线条区域中，包括：在所述衬底上先溅射一层金属薄膜结构；再采用光刻和刻蚀的方法，形成所述金属线条区域。

12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在上述的沉积绝缘层中，包括：沉积一层二氧化硅层以及一层氮化硅层；再用光刻的方法，将光刻胶保护住所述金属线条区域，用等离子刻蚀的方法去除导线和电极表面的所述绝缘层，使所述绝缘层仅覆盖所述金属线条区域。

13.根据权利要求10至12任一项所述的制造方法，其特征在于，在上述的沉积金属层中，包括：利用光刻的方法，用光刻胶保护住所述绝缘层，暴露出所述导线和电极；然后沉积金属层，再用超声清洗，去除所述绝缘层成上方的光刻胶和金属层。

14.根据权利要求10至12任一项所述的制造方法，其特征在于，在上述的沉积金属层中，还包括：沉积所述金属层使其覆盖所有区域；在所述金属层上做光刻，用光刻胶保护住所述导线和电极，暴露出所述绝缘层表面的所述金属层，用湿法腐蚀方法或者等离子刻蚀方法腐蚀掉暴露的所述绝缘层，去除光刻胶。