[发明专利]一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法和异质结电池

说明书

本发明提供了一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法和异质结电池，属于太阳能电池生产方法的技术领域。所述栅线制备方法包括在硅衬底的至少一侧上制备透明导电薄膜；在所述透明导电薄膜上制备具备自钝化性能的金属导电掩膜；使得所述金属导电掩膜氧化以生成钝化氧化层；在所述钝化氧化层上制备铜种子层；以及在所述铜种子层上形成铜栅线。通过本申请的处理方案，有效抑制了金属铜向硅衬底的扩散，减少了电池内部缺陷的生成，并且由于未使用有机负像掩膜，所以大大降低有机废水的处理成本。

技术领域

本申请涉及太阳能电池加工工艺技术领域，尤其涉及一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法和异质结电池。

背景技术

在太阳能电池加工工艺技术领域，栅线大多采用银浆制成，但是银浆成本高昂，导致太阳能电池的成本居高不下。为了降本，逐渐出现了采用铜线制成栅线的方法。现有的铜电镀过程一般如下：在镀完透明导电薄膜后的硅衬底上，再镀上一层薄的铜种子层，然后在铜种子层上制备有机负像掩膜，再将其置于电镀槽中沉积金属铜，最后通过化学方法去掉有机负像掩膜和铜种子层。

现有技术中由，于使用了有机负像掩膜，去除废水处理会带来高昂的废水处理成本，并且，由于有机负像掩膜与铜种子层接触，致使电镀铜表面无法继续形成镀膜层，在组件封装过程后长期与组件封装材料乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA释放的乙酸接触，最终导致EVA变色，铜也会通过扩散进入到硅衬底中(尤其是在边缘没有镀透明导电薄膜的部位)，铜在硅衬底中会形成各种缺陷，如，短路电压或电流降低，造成太阳能电池使用效率降低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法和异质结电池，至少部分解决了使用有机负像掩膜带来的有机污染废水处理成本高、电池使用效率降低的问题。

第一方面，本发明提供了一种栅线制备方法，所述方法包括：

在硅衬底的至少一侧上制备透明导电薄膜；

在所述透明导电薄膜上制备具备自钝化性能的金属导电掩膜；

使得所述金属导电掩膜氧化以生成钝化氧化层；

在所述钝化氧化层上制备铜种子层；以及

在所述铜种子层上形成铜栅线。

第二方面，提供了一种栅线制备方法，所述方法包括：

在硅衬底的至少一侧上制备透明导电薄膜；

在所述透明导电薄膜上制备金属导电掩膜；

在所述金属导电掩膜上制备钝化氧化层；

在所述钝化氧化层上制备铜种子层；以及

在所述铜种子层上形成铜栅线。

根据本发明的一个具体实施例，所述具备自钝化性能的金属导电掩膜为钛金属导电掩膜、铝金属导电掩膜或者铝钛合金导电掩膜；并且，使得所述金属导电掩膜氧化以生成钝化氧化层的步骤，包括：将所述金属导电掩膜暴露于空气或氧气氛围中预定时间。

根据本发明的一个具体实施例，在所述透明导电薄膜上制备具备自钝化性能的金属导电掩膜的步骤，包括：通过物理气相沉积的方式在所述透明导电薄膜上沉积所述具备自钝化性能的金属导电掩膜。

根据本发明的一个具体实施例，在所述钝化氧化层上制备铜种子层的步骤，包括:在所述钝化氧化层上通过丝网印刷或者喷墨的方式制备所述铜种子层，其中所述铜种子层的形状与预设栅线的形状对应。

根据本发明的一个具体实施例，在所述铜种子层上形成铜栅线的步骤之后，所述方法还包括：去除未覆盖所述铜种子层和所述铜栅线的所述钝化氧化层和所述金属导电掩膜，去除方式包括蚀刻。