[发明专利]MicroLED显示面板及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202110103713.0 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN112768434A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 范纯圣;范世伦 申请(专利权)人: 豪威半导体(上海)有限责任公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L25/075;H01L25/16;H01L21/768;G09F9/33
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201611 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: microled 显示 面板 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种MicroLED显示面板,其特征在于,包括:驱动晶圆和MicroLED器件;所述驱动晶圆具有相对的第一表面和第二表面,所述驱动晶圆临近所述第一表面的区域分布有驱动电路;所述第二表面与所述驱动电路之间设置有多个硅通孔,所述硅通孔中填充有互连层;所述MicroLED器件位于所述驱动晶圆的所述第二表面一侧;所述MicroLED器件通过所述互连层与所述驱动电路电连接。

2.如权利要求1所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述MicroLED器件包括MicroLED晶圆、MicroLED芯片块或阵列分布的MicroLED芯片粒。

3.如权利要求2所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述驱动晶圆的所述第二表面与所述MicroLED芯片块或阵列分布的所述MicroLED芯片粒之间形成有隔离层,所述硅通孔还贯穿所述隔离层。

4.如权利要求2所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述MicroLED晶圆包括依次位于所述驱动晶圆的所述第二表面上的生长衬底、Ga基层和外延结构层,所述硅通孔还贯穿所述生长衬底。

5.如权利要求4所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述生长衬底包括SiC衬底或蓝宝石衬底;所述Ga基层包括N型GaN层或N型GaAs层;所述外延结构层包括量子阱层、P型GaN层或P型GaAs层。

6.如权利要求1至5任意一项所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述驱动晶圆包括驱动衬底,所述驱动衬底为(111)晶面的硅衬底。

7.如权利要求1至5任意一项所述的MicroLED显示面板,其特征在于,还包括:载片晶圆;所述载片晶圆与所述驱动晶圆的所述第一表面键合。

8.如权利要求7所述的MicroLED显示面板,其特征在于,还包括:

绝缘层,所述绝缘层覆盖所述载片晶圆远离所述驱动晶圆的一侧表面以及侧壁表面;

引出孔,所述引出孔贯穿所述绝缘层和所述载片晶圆;

引出金属层,所述引出金属层填充所述引出孔并与所述驱动电路电连接。

9.如权利要求7所述的MicroLED显示面板,其特征在于,还包括:

绝缘层,所述绝缘层覆盖所述载片晶圆远离所述驱动晶圆的一侧表面以及侧壁表面;

再分布金属层,所述再分布金属层覆盖位于所述载片晶圆侧壁上的所述绝缘层,覆盖所述载片晶圆远离所述驱动晶圆的一侧两端的所述绝缘层,以及覆盖所述驱动晶圆的所述第一表面上所述载片晶圆周侧的表面,位于所述第一表面上的所述再分布金属层与所述驱动电路电连接。

10.如权利要求7所述的MicroLED显示面板,其特征在于,所述载片晶圆的材质包括Si、Al2O3、AlN、PCB、Cu或石墨烯中的至少一种。

11.一种MicroLED显示面板的形成方法,其特征在于,包括:

提供驱动晶圆,所述驱动晶圆具有相对的第一表面和第二表面,所述驱动晶圆临近所述第一表面的区域分布有驱动电路;

形成多个硅通孔,所述硅通孔从所述第二表面贯穿部分厚度的所述驱动晶圆,所述硅通孔位于所述驱动电路上方;

形成互连层,所述互连层填充所述硅通孔并与所述驱动电路电连接;

形成MicroLED器件,所述MicroLED器件位于所述驱动晶圆的所述第二表面一侧;所述MicroLED器件与所述互连层电连接。

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