[发明专利]集成芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

衬底，所述衬底包括第一半导体材料；

第二半导体材料，所述第二半导体材料设置在所述第一半导体材料上，其中，所述第二半导体材料是IV族半导体或III-V族化合物半导体；

钝化层，所述钝化层设置在所述第二半导体材料上，其中，所述钝化层包括所述第一半导体材料；以及

第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域延伸穿过所述钝化层并进入所述第二半导体材料中。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一半导体材料是硅。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述衬底的所述第一半导体材料竖直地且横向地接触所述第二半导体材料。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述钝化层接触所述第二半导体材料的最顶表面。

5.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

硅化物，所述硅化物布置在所述钝化层内且沿着所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的顶部。

6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一半导体材料是硅且所述第二半导体材料是锗。

7.根据权利要求1所述的集成芯片，

其中，所述衬底具有侧壁及水平延伸的表面，所述侧壁及水平延伸的表面限定所述衬底内的凹槽；并且

其中，所述第二半导体材料布置在所述凹槽内。

8.根据权利要求7所述的集成芯片，

其中，所述第二半导体材料具有倾斜侧壁，所述倾斜侧壁使所述第二半导体材料具有第一宽度，所述第一宽度随着所述水平延伸的表面上方的第一间距的增加而减小；并且

其中，所述钝化层具有倾斜侧壁，所述倾斜侧壁使所述钝化层具有第二宽度，所述第二宽度随着所述水平延伸的表面上方的第二间距的增加而增加。

9.一种集成芯片，包括：

衬底，所述衬底包括硅；

第二半导体材料，所述第二半导体材料具有接触所述衬底的所述硅的最底表面，其中，所述第二半导体材料包括IV族半导体或III-V族化合物半导体；

钝化层，所述钝化层包括硅，其中，所述钝化层的所述硅接触所述第二半导体材料的最顶表面；

第一掺杂区域，所述第一掺杂区域具有第一掺杂类型且延伸穿过所述钝化层并进入所述第二半导体材料中；以及

第二掺杂区域，所述第二掺杂区域具有第二掺杂类型且延伸穿过所述钝化层并进入所述第二半导体材料中，其中，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域通过所述第二半导体材料与所述第二半导体材料的所述最底表面分开。

10.一种形成集成芯片的方法，包括：

在衬底上形成第二半导体材料，所述衬底包括第一半导体材料；

在所述第二半导体材料上形成钝化层；

执行第一注入工艺以形成第一掺杂区域，所述第一掺杂区域具有第一掺杂类型且延伸穿过所述钝化层并进入所述第二半导体材料中；以及

执行第二注入工艺以形成第二掺杂区域，所述第二掺杂区域具有第二掺杂类型且延伸穿过所述钝化层并进入所述第二半导体材料中。