[发明专利]磁存储装置

权利要求书

1.一种磁存储装置，其特征在于具备磁阻效应元件及二端子型开关元件，

所述磁阻效应元件具备：

第1磁性层，具有固定的磁化方向；

第2磁性层，具有固定的磁化方向；

第3磁性层，设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，具有可变的磁化方向；

第1非磁性层，设置在所述第1磁性层与所述第3磁性层之间；以及

第2非磁性层，设置在所述第2磁性层与所述第3磁性层之间；

所述二端子型开关元件相对于所述磁阻效应元件串联连接，当施加在两端子间的电压达到阈值电压以上时，从非电导通状态变成电导通状态。

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于，

所述第1磁性层的磁化方向与所述第2磁性层的磁化方向相互平行。

3.根据权利要求2所述的磁存储装置，其特征在于，

所述磁阻效应元件具有：第1电阻状态，所述第3磁性层的磁化方向相对于所述第1及第2磁性层的磁化方向平行；以及第2电阻状态，所述第3磁性层的磁化方向相对于所述第1及第2磁性层的磁化方向反向平行。

4.根据权利要求3所述的磁存储装置，其特征在于，

所述第1电阻状态及所述第2电阻状态是根据所述磁阻效应元件中流动的电流方向而设定。

5.根据权利要求2所述的磁存储装置，其特征在于，

所述磁阻效应元件还具备：

第4磁性层，具有固定的磁化方向；以及

第5磁性层，具有固定的磁化方向；

所述第4及第5磁性层的磁化方向相对于所述第1及第2磁性层的磁化方向反向平行，

所述第1、第2及第3磁性层设置在所述第4磁性层与所述第5磁性层之间。

6.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于，

所述第1磁性层、所述第3磁性层及所述第1非磁性层构成第1磁阻效应元件部分；

所述第2磁性层、所述第3磁性层及所述第2非磁性层构成第2磁阻效应元件部分；

所述第1磁阻效应元件部分的MR比与所述第2磁阻效应元件部分的MR比互异。

7.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于，

所述第1、第2及第3磁性层具有垂直磁化。

8.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于还具备：

第1配线，在第1方向上延伸；以及

第2配线，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；

所述磁阻效应元件及所述开关元件串联连接在所述第1配线与所述第2配线之间。

9.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于，

所述第1、第2及第3磁性层至少含有铁(Fe)及硼(B)。

10.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于，

所述第1及第2非磁性层含有镁(Mg)及氧(O)。