[发明专利]一种T型结构的微制造方法有效
| 申请号： | 202110100995.9 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113044803B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 苏笑宇;任仲靖;潘泉;冯乾;杨家男;侯晓磊 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙) 61257 | 代理人： | 李明全 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 制造 方法 | ||
1.一种T型结构的微制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底材料表面上依次旋涂第一光刻胶层和第二光刻胶层；
基于第一掩膜，对所述第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光，并采用第一显影液溶解所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的第一曝光部分；
将待制备T型结构的足部材料淀积到所述第二光刻胶层和所述第一曝光部分露出的衬底表面上；所述足部材料的淀积厚度小于等于所述第一光刻胶层的厚度；
溶解所述第二光刻胶层，并剥离所述第二光刻胶层上的足部材料层；
在所述第一光刻胶层和所述曝光部分的足部材料层上旋涂第三光刻胶层；
基于第二掩膜，对所述第三光刻胶层进行曝光，并采用第二显影液溶解所述第三光刻胶层的第二曝光部分；所述第二曝光部分的面积包含且大于所述第一曝光部分的面积；
将待制备T型结构的头部材料淀积到第三光刻胶层、所述第二曝光部分露出的足部材料层和所述第二曝光部分露出的第一光刻胶层上；其中，淀积的头部材料层的厚度小于等于所述第三光刻胶层的厚度；
溶解所述第一光刻胶层，并剥离所述第三光刻胶层和其上的头部材料层，得到所述待制备T型结构。
2.如权利要求1所述的一种T型结构的微制造方法，其特征在于，溶解所述第一光刻胶层时，将溶剂气化后进行溶解剥离。
3.如权利要求1或2所述的一种T型结构的微制造方法，其特征在于，所述第一光刻胶不溶于所述第二显影液。
4.如权利要求3所述的一种T型结构的微制造方法，其特征在于，所述足部材料的淀积厚度等于所述第一光刻胶层的厚度。
5.如权利要求4所述的一种T型结构的微制造方法，其特征在于，淀积的头部材料层的厚度等于所述第三光刻胶层的厚度。
6.如权利要求4或5所述的一种T型结构的微制造方法，其特征在于，所述足部材料与所述头部材料相同。
7.如权利要求4或5所述的一种T型结构的微制造方法，其特征在于，当所述足部材料与所述头部材料不同时，采用第二显影液溶解所述第三光刻胶层的第二曝光部分之后、以及淀积所述头部材料之前，向所述足部材料层表面淀积中间连接层。
8.如权利要求6所述的一种T型结构的微制造方法，其特征在于，所述足部材料为铝，所述头部材料为镍。
9.如权利要求8所述的一种T型结构的微制造方法，其特征在于，所述第一光刻胶为SF6，所述第二光刻胶为maN1410，所述第三光刻胶为SU8-2002。
10.如权利要求9所述的一种T型结构的微制造方法，其特征在于，所述第一显影液为mad533，第二显影液为SU8专用显影液。
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