[发明专利]含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜及其制备方法、应用在审

专利信息
申请号: 202110100606.2 申请日: 2021-01-22
公开(公告)号: CN112898707A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 李良彬;赵浩远 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08L71/02;C08L33/12;C08K5/134;C08K3/36;C08J5/18;H01M10/0525;H01G11/30;H01G11/48;H01G11/86
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘歌
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 含偏二氟 乙烯 丙烯 共聚物 薄膜 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

发明提供了一种含偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物薄膜及其制备方法和应用,其中,该薄膜利用含偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物的组合物通过熔融挤出法按照预设的工艺进行制备,其中,该组合物按重量百分比计,包括:70~100%偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物,0~20%陶瓷颗粒,0~10%功能树脂和0~5%加工助剂;本发明提供的含偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物薄膜可以用于锂离子二次电池、超级电容器领域等电化学装置中。

技术领域

本发明涉及高分子薄膜技术领域,尤其涉及一种含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜及其制备方法、应用。

背景技术

在含氟聚合物中,由于聚偏二氟乙烯(PVDF)及其共聚物具有较大的介电常数(ε=8~10)、优良的耐热性、较好的力学性能、出色的耐电化学性能和极佳的粘附性,被广泛应用于电化学装置的隔膜、极片的粘结层或改性涂层中。由于PVDF结晶度较高,电解液无法进入结晶区,引入体积较大的六氟丙烯(HFP)共聚后可以降低其结晶度,这样既能使电解质薄膜具有优异的力学性能,又能够保证共聚物有良好的吸附电解质的能力,显示出优异的电化学性能。偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物(PVDF-HFP)薄膜用于电化学装置时,电解液进入PVDF-HFP的无定形区将其溶胀为凝胶相,这种溶胀现象不仅为载流子迁移提供通道,而且有效改善了聚烯烃类隔膜存在的电解液泄露问题。

在现有技术中,制备PVDF-HFP薄膜或涂层的方法主要为萃取法和相转移法。最早的,某公司通过首先制备含有大量增塑剂的PVDF-HFP膜,然后用大量低沸点溶剂将增塑剂萃取出来得到具有微孔结构的PVDF-HFP薄膜,将薄膜与极片层压后并注入电解液,获得聚合物锂离子电池。有相关技术人员将PVDF-HFP溶解在四氢呋喃、丙酮、水、乙醇组成的混合溶剂中进行搅拌,再经涂布、干燥等过程得到PVDF-HFP薄膜。还有将PVDF-HFP和PDMS(聚二甲基硅氧烷)共溶于N,N-二甲基乙酰胺等稀释剂中,加入分散剂得到分散体系,将分散体系涂布在玻璃平板上,并经萃取剂萃取、干燥等步骤得到PVDF-HFP/PDMS复合薄膜。

这些薄膜制备方法都涉及到配浆、匀浆、涂膜、萃取、干燥等多个加工步骤,且在配浆过程中需要使用溶剂和多种添加剂,对加工条件和环境影响评估都提出了很高的要求。

发明内容

有鉴于此,为了能够使含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜的制备工艺流程简单且产品性能均一,使得得到的PVDF-HFP薄膜具备优良的电化学性能,本发明提供了一种含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜及其制备方法。

为了实现上述目的,一方面,本发明提供了一种含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜,该薄膜利用含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物的组合物通过熔融挤出法制备,其中,该组合物按重量百分比计,包括:70~100%偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物,0~20%陶瓷颗粒,0~10%功能树脂和0~5%加工助剂;所述含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜的厚度为5~30μm。

根据本发明的实施例,其中,熔融挤出法包括挤出吹膜法或挤出流延延伸法;挤出吹膜法包括以下至少之一:单层吹膜法、多层共挤吹膜法、双泡法;挤出流延延伸法包括挤出流延-横向拉伸法。

根据本发明的实施例,其中,偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物的熔点Tm为110~185℃,熔体流动速率为0.5~9.0g/10min。

根据本发明的实施例,其中,陶瓷颗粒包括以下至少之一:氧化铝、二氧化镁、二氧化硅、二氧化钛、勃姆石、磷酸钛铝锂,陶瓷颗粒的平均粒径为10~600nm。

根据本发明的实施例,其中,功能树脂包括以下至少之一:聚丙烯、聚乙烯、聚环氧乙烷、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯;加工助剂包括分散剂和抗氧剂。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学,未经中国科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110100606.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top