[发明专利]含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜及其制备方法、应用在审
申请号: | 202110100606.2 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN112898707A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 李良彬;赵浩远 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | C08L27/16 | 分类号: | C08L27/16;C08L71/02;C08L33/12;C08K5/134;C08K3/36;C08J5/18;H01M10/0525;H01G11/30;H01G11/48;H01G11/86 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘歌 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含偏二氟 乙烯 丙烯 共聚物 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明提供了一种含偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物薄膜及其制备方法和应用,其中,该薄膜利用含偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物的组合物通过熔融挤出法按照预设的工艺进行制备,其中,该组合物按重量百分比计,包括:70~100%偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物,0~20%陶瓷颗粒,0~10%功能树脂和0~5%加工助剂;本发明提供的含偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物薄膜可以用于锂离子二次电池、超级电容器领域等电化学装置中。
技术领域
本发明涉及高分子薄膜技术领域,尤其涉及一种含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜及其制备方法、应用。
背景技术
在含氟聚合物中,由于聚偏二氟乙烯(PVDF)及其共聚物具有较大的介电常数(ε=8~10)、优良的耐热性、较好的力学性能、出色的耐电化学性能和极佳的粘附性,被广泛应用于电化学装置的隔膜、极片的粘结层或改性涂层中。由于PVDF结晶度较高,电解液无法进入结晶区,引入体积较大的六氟丙烯(HFP)共聚后可以降低其结晶度,这样既能使电解质薄膜具有优异的力学性能,又能够保证共聚物有良好的吸附电解质的能力,显示出优异的电化学性能。偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物(PVDF-HFP)薄膜用于电化学装置时,电解液进入PVDF-HFP的无定形区将其溶胀为凝胶相,这种溶胀现象不仅为载流子迁移提供通道,而且有效改善了聚烯烃类隔膜存在的电解液泄露问题。
在现有技术中,制备PVDF-HFP薄膜或涂层的方法主要为萃取法和相转移法。最早的,某公司通过首先制备含有大量增塑剂的PVDF-HFP膜,然后用大量低沸点溶剂将增塑剂萃取出来得到具有微孔结构的PVDF-HFP薄膜,将薄膜与极片层压后并注入电解液,获得聚合物锂离子电池。有相关技术人员将PVDF-HFP溶解在四氢呋喃、丙酮、水、乙醇组成的混合溶剂中进行搅拌,再经涂布、干燥等过程得到PVDF-HFP薄膜。还有将PVDF-HFP和PDMS(聚二甲基硅氧烷)共溶于N,N-二甲基乙酰胺等稀释剂中,加入分散剂得到分散体系,将分散体系涂布在玻璃平板上,并经萃取剂萃取、干燥等步骤得到PVDF-HFP/PDMS复合薄膜。
这些薄膜制备方法都涉及到配浆、匀浆、涂膜、萃取、干燥等多个加工步骤,且在配浆过程中需要使用溶剂和多种添加剂,对加工条件和环境影响评估都提出了很高的要求。
发明内容
有鉴于此,为了能够使含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜的制备工艺流程简单且产品性能均一,使得得到的PVDF-HFP薄膜具备优良的电化学性能,本发明提供了一种含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜及其制备方法。
为了实现上述目的,一方面,本发明提供了一种含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜,该薄膜利用含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物的组合物通过熔融挤出法制备,其中,该组合物按重量百分比计,包括:70~100%偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物,0~20%陶瓷颗粒,0~10%功能树脂和0~5%加工助剂;所述含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜的厚度为5~30μm。
根据本发明的实施例,其中,熔融挤出法包括挤出吹膜法或挤出流延延伸法;挤出吹膜法包括以下至少之一:单层吹膜法、多层共挤吹膜法、双泡法;挤出流延延伸法包括挤出流延-横向拉伸法。
根据本发明的实施例,其中,偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物的熔点Tm为110~185℃,熔体流动速率为0.5~9.0g/10min。
根据本发明的实施例,其中,陶瓷颗粒包括以下至少之一:氧化铝、二氧化镁、二氧化硅、二氧化钛、勃姆石、磷酸钛铝锂,陶瓷颗粒的平均粒径为10~600nm。
根据本发明的实施例,其中,功能树脂包括以下至少之一:聚丙烯、聚乙烯、聚环氧乙烷、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯;加工助剂包括分散剂和抗氧剂。
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