[发明专利]一种介质谐振器

权利要求书

1.一种介质谐振器(1)，其特征在于，包括：

介质谐振腔(10)，所述介质谐振腔(10)包括实心的介质本体和包裹所述介质本体的外表面的金属镀层；

电容加载结构(20)，所述电容加载结构(20)嵌入于所述介质本体内，且其端面(21)与所述介质谐振腔(10)表面的金属镀层相接，以在所述介质谐振腔(10)表面形成开孔，所述电容加载结构(20)具有面积大于所述端面(21)的面积的截面。

2.根据权利要求1所述的介质谐振器(1)，其特征在于，所述介质谐振器(1)的品质因子关联于所述电容加载结构(20)的体表比。

3.根据权利要求2所述的介质谐振器(1)，其特征在于，所述电容加载结构(20)的截面面积在其高度方向上逐渐增大。

4.根据权利要求2所述的介质谐振器(1)，其特征在于，所述电容加载结构(20)的截面面积在其高度方向上阶梯式增大。

5.根据权利要求4所述的介质谐振器(1)，其特征在于，所述电容加载结构(20)具有沿高度方向顺次排列的第一电容加载结构(22)和第二电容加载结构(23)，

所述第一电容加载结构(22)的一端为所述端面(21)，所述第二电容加载结构(23)与所述第一电容加载结构(22)的另一端相接，所述第二电容加载结构(23)的截面面积大于所述第一电容加载结构(22)的截面面积。

6.根据权利要求5所述的介质谐振器(1)，其特征在于，所述第一电容加载结构(22)和第二电容加载结构(23)的形状均为圆柱体，所述第一电容加载结构(22)的高度方向与所述电容加载结构(20)的高度方向一致。

7.根据权利要求6所述的介质谐振器(1)，其特征在于，所述第一电容加载结构(22)和第二电容加载结构(23)的轴线方向一致，所述第二电容加载结构(23)的横截面的面积大于所述第一电容加载结构(22)的横截面的面积。

8.根据权利要求6所述的介质谐振器(1)，其特征在于，所述第一电容加载结构(22)和第二电容加载结构(23)的轴线方向垂直，所述第二电容加载结构(23)的纵截面的面积大于所述第一电容加载结构(22)的横截面的面积。

9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的介质谐振器(1)，其特征在于，所述电容加载结构(20)为实心的金属结构。

10.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的介质谐振器(1)，其特征在于，所述电容加载结构(20)为表面覆盖金属层的空心结构，所述电容加载结构(20)内填充介电介质。