[发明专利]一种膜层生长方法、装置、设备及系统

权利要求书

1.一种膜层生长方法，其特征在于，包括：

利用第一站点在待处理晶圆上形成待成膜材料的晶种；

利用第二站点在形成有所述晶种的待处理晶圆上形成所述待成膜材料的低温膜层；

利用第三站点对形成有所述低温膜层的待处理晶圆进行抑制控制增强处理；所述抑制控制增强处理包括，控制所述第三站点的工作温度、工作时间和工艺气体输入；所述抑制控制增强处理用于减缓待成膜材料在通孔或沟槽之外的膜层生长速度，使待成膜材料在通孔或沟槽之外的膜层生长速度小于在通孔或沟槽之内的膜层生长速度；

利用第四站点在所述低温膜层上形成所述待成膜材料的高温膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待处理晶圆依次到达所述第一站点、所述第二站点、所述第三站点、所述第四站点所在位置；

利用所述第一站点形成所述晶种的方式包括：在所述待处理晶圆到达所述第一站点所在位置时控制所述第一站点的工作温度、工作时间和工艺气体输入；

利用所述第二站点形成所述低温膜层的方式包括：在所述待处理晶圆到达所述第二站点所在位置时控制所述第二站点的工作温度、工作时间和工艺气体输入；

利用所述第三站点进行所述抑制控制增强处理的方式包括：在所述待处理晶圆到达所述第三站点所在位置时控制所述第三站点的工作温度、工作时间和工艺气体输入；

利用所述第四站点形成所述高温膜层的方式包括：在所述待处理晶圆到达所述第四站点所在位置时控制所述第四站点的工作温度、工作时间和工艺气体输入。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待成膜材料为钨，所述待处理晶圆上具有贯穿介质层的通孔或沟槽，所述待成膜材料用于填充所述通孔或沟槽。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一站点和所述第二站点的工作温度范围为275-350℃，所述第三站点的工作温度范围为355-400℃，所述第四站点的工作温度范围为410-430℃。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一站点和所述第二站点的工作温度为300℃，所述第三站点的工作温度为395℃，所述第四站点的工作温度为430℃。

6.一种膜层生长设备，其特征在于，包括：

第一站点，用于在待处理晶圆上形成待成膜材料的晶种；

第二站点，用于在形成有所述晶种的待处理晶圆上形成所述待成膜材料的低温膜层；

第三站点，用于对形成有所述低温膜层的待处理晶圆进行抑制控制增强处理；进行所述抑制控制增强处理的方式包括，控制所述第三站点的工作温度、工作时间和工艺气体输入；所述抑制控制增强处理用于减缓待成膜材料在通孔或沟槽之外的膜层生长速度，使待成膜材料在通孔或沟槽之外的膜层生长速度小于在通孔或沟槽之内的膜层生长速度；

第四站点，用于在所述低温膜层上形成所述待成膜材料的高温膜层。

7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述第一站点、所述第二站点、所述第三站点、所述第四站点在反应腔体中依次排列，以便所述待处理晶圆依次到达所述第一站点、所述第二站点、所述第三站点、所述第四站点所在位置。

8.一种膜层生长装置，其特征在于，包括：

第一控制单元，用于利用第一站点在待处理晶圆上形成待成膜材料的晶种；

第二控制单元，用于利用第二站点在形成有所述晶种的待处理晶圆上形成所述待成膜材料的低温膜层；

第三控制单元，用于利用第三站点对形成有所述低温膜层的待处理晶圆进行抑制控制增强处理；所述抑制控制增强处理包括，控制所述第三站点的工作温度、工作时间和工艺气体输入；所述抑制控制增强处理用于减缓待成膜材料在通孔或沟槽之外的膜层生长速度，使待成膜材料在通孔或沟槽之外的膜层生长速度小于在通孔或沟槽之内的膜层生长速度；

第四控制单元，用于利用第四站点在所述低温膜层上形成所述待成膜材料的高温膜层。