[发明专利]蓝色发光层形成用材料、发光器件、发光基板和发光装置在审
申请号: | 202110098176.5 | 申请日: | 2021-01-25 |
公开(公告)号: | CN112909211A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 陈雪芹;刘杨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 李文博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蓝色 发光 形成 用材 器件 装置 | ||
1.一种蓝色发光层形成用材料,包括:
主体材料;以及
掺杂在所述主体材料中的掺杂材料;
其中,所述主体材料的归一化荧光发射光谱和所述掺杂材料的归一化吸收光谱之间具有交叠区域,所述交叠区域的积分面积大于或等于所述主体材料的归一化荧光发射光谱的积分面积的50%,且所述主体材料的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长,与所述掺杂材料的归一化吸收光谱的峰值所对应的波长之差的绝对值小于或等于30nm。
2.根据权利要求1所述的蓝色发光层形成用材料,其中,
所述主体材料的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长,小于或等于所述掺杂材料的归一化吸收光谱的峰值所对应的波长。
3.根据权利要求1或2所述的蓝色发光层形成用材料,其中,
所述主体材料的归一化荧光发射光谱的波长范围为410nm~450nm;
所述掺杂材料的归一化吸收光谱的波长范围为430nm~455nm。
4.根据权利要求1或2所述的蓝色发光层形成用材料,其中,
所述主体材料选自蒽的衍生物中的任一种。
5.根据权利要求4所述的蓝色发光层形成用材料,其中,
所述主体材料选自如下通式(I)所示结构中的任一种;
其中,Ar1和Ar2相同或不同,分别独立地选自芳基、杂芳基、稠芳基和稠杂芳基中的任一种,R选自氘、卤素、烷基、芳基、杂芳基、稠芳基和稠杂芳基中的任一种,n为0、1或2。
6.根据权利要求5所述的蓝色发光层形成用材料,其中,
在Ar1选自杂芳基或稠杂芳基的情况下,所述杂芳基和所述稠杂芳基中均不含有氮原子;
在Ar2选自杂芳基或稠杂芳基的情况下,所述杂芳基和所述稠杂芳基中均不含有氮原子;
在R选自杂芳基或稠杂芳基的情况下,所述杂芳基和所述稠杂芳基中均不含有氮原子。
7.根据权利要求6所述的蓝色发光层形成用材料,其中,
所述主体材料选自如下结构式中的任一种;
8.根据权利要求1或2所述的蓝色发光层形成用材料,其中,
所述掺杂材料选自有机硼化合物中的任一种。
9.根据权利要求8所述的蓝色发光层形成用材料,其中,
所述掺杂材料选自如下通式(II)中的任一种;
其中,X1和X2相同或不同,分别独立地选自C(R1)2、N(R1)、C(=O)、B(R1)、Si(R1)2、C(=N(R1))、C(=C(R1)2)、O、S、S(=O)、S(=O)2、P(R1)和P(=O)(R1)中的任一种,R1、R2、R3和R5相同或不同,分别独立地选自氘、卤素、烷基、芳基、杂芳基、稠芳基和稠杂芳基中的任一种,Ar选自芳基、杂芳基、稠芳基和稠杂芳基中的任一种,m为0、1或2,q为0、1或2,k为0、1或2。
10.根据权利要求9所述的蓝色发光层形成用材料,其中,
所述掺杂材料选自如下结构式中的任一种;
11.根据权利要求1或2所述的蓝色发光层形成用材料,其中,
所述掺杂材料在所述蓝色发光层形成用材料中的质量占比为0.5%~8%。
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