[发明专利]半导体结构参数获取、检测标准的获取及检测方法

权利要求书

1.一种半导体结构参数获取方法，其特征在于，包括：

获取半导体结构，所述半导体结构包括衬底，以及位于所述衬底上的电容支撑结构，所述电容支撑结构中具有多个电容孔，所述电容孔在所述电容支撑结构的厚度方向上贯穿所述电容支撑结构；

去除部分高度的所述电容支撑结构；

获取测试图形，所述测试图形为剩余所述电容支撑结构顶部暴露出的图形；

在所述测试图形中确定测量区间，并获取所述测量区间中预设位置的电容孔之间的间距，其中，所述测量区间中包括M行*N列的所述电容孔，M和N为大于等于2的自然数；

基于预设方向上，单行/列中多个所述间距中的最大值和最小值，获取所述预设位置的电容孔的偏移距离，其中，所述偏移距离为多个偏移极差的平均值，所述偏移极差为所述间距中的最大值和最小值之差。

2.根据权利要求1所述的半导体结构参数获取方法，其特征在于，所述去除部分高度的所述电容支撑结构之前，还包括以下步骤：

形成位于所述电容孔侧壁的保护层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构参数获取方法，其特征在于，所述形成位于所述电容孔侧壁的保护层，包括以下步骤：

形成覆盖所述电容支撑结构顶部表面，且覆盖所述电容孔侧壁的保护膜；

去除位于所述电容支撑结构表面的保护膜，形成位于所述电容孔侧壁的保护层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构参数获取方法，其特征在于，在所述去除部分高度的所述电容支撑结构的过程中，包括：获取所述电容支撑结构顶部暴露出的图形中所述电容孔的尺寸变化量，所述尺寸变化量用于表征在所述去除部分高度的所述电容支撑结构的过程中，电容孔的尺寸变化的数值。

5.根据权利要求4所述的半导体结构参数获取方法，其特征在于，所述获取所述电容支撑结构顶部暴露出的图形中所述电容孔的尺寸变化量，包括以下步骤：

基于所述半导体结构中每个电容孔的尺寸，在所述去除部分高度的所述电容支撑结构的过程中，获取每个电容孔的尺寸变化的最大值；

基于所述电容孔的尺寸变化的最大值，获取所述尺寸变化量，所述尺寸变化量为多个所述电容孔的尺寸变化的最大值的平均值。

6.一种检测标准的获取方法，基于权利要求1~5任一项所述的半导体结构参数获取方法，其特征在于，还包括：

获取半导体结构对应产品的良率；

获取所述良率下，所述半导体结构被去除的电容支撑结构的高度与偏移距离的第一测试关系。

7.根据权利要求6所述的检测标准的获取方法，其特征在于，还包括：

获取不同良率的产品对应的半导体结构的所述第一测试关系；

基于不同良率下的所述第一测试关系，建立所述被去除的电容支撑结构的高度、所述偏移距离和良率的第二测试关系。

8.根据权利要求6所述的检测标准的获取方法，其特征在于，在去除部分高度的电容支撑结构的过程中，包括：

获取所述电容支撑结构顶部暴露出的图形中所述电容孔的尺寸变化量，所述尺寸变化量用于表征在所述去除部分高度的所述电容支撑结构的过程中，电容孔的尺寸变化的数值；

获取所述良率下，所述半导体结构被去除的电容支撑结构的高度与所述尺寸变化量的第三测试关系。

9.根据权利要求8所述的检测标准的获取方法，其特征在于，包括：

获取不同良率的产品对应的半导体结构的所述第三测试关系；

基于不同良率下的所述第三测试关系，建立所述被去除的电容支撑结构的高度、所述尺寸变化量和良率的第四测试关系。