[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

准备一沉积制程腔室，其中该准备的操作包括：

使多个第一前驱物流动，以沿该沉积制程腔室的一内侧壁形成一介电涂料；以及

使一第二前驱物流动，以在该介电涂料上方形成一疏水层；

执行一或多个沉积循环；以及

在执行该一或多个沉积循环之后，使该第二前驱物流动以修复该疏水层。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一前驱物包括一硅前驱物和一第一氧前驱物。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，该一或多个沉积循环的每一者包括：

使一第二氧前驱物流动；以及

使一金属前驱物流动。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该第二前驱物包括氟化烃官能基。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，该介电涂料包括氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该一或多个沉积循环形成氧化铝。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，该氧化铝包括用于图案化的一遮罩。

8.一种半导体装置的制造方法，包括：

在一晶圆上方沉积一金属氧化层，该沉积金属氧化层的操作包括：

在一制程腔室的一内侧壁上方沉积一氧化硅涂料；

使一疏水性前驱物流动至该制程腔室中，以在该氧化硅涂料上方形成一疏水层；

在使该疏水性前驱物流动之后，将该晶圆放置于该制程腔室中；

使一氧前驱物于该晶圆上方流动；以及

使一金属前驱物于该晶圆上方流动；以及

将该金属氧化层图案化。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，该金属氧化层包括氧化铝。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：

在一第一晶圆上执行多个第一制程步骤；

在一原子层沉积工具上执行一第一处理制程，该第一处理制程包括在该原子层沉积工具的多个内侧壁上方形成一疏水涂料；

将该第一晶圆放置于该原子层沉积工具中；

在该第一晶圆上执行一第一原子层沉积制程；

从该原子层沉积工具移除该第一晶圆；

在一第二晶圆上执行多个第二制程步骤；

在从该原子层沉积工具移除该第一晶圆之后，将该第二晶圆放置于该原子层沉积工具中；

在该第二晶圆上执行一第二原子层沉积制程；

从该原子层沉积工具移除该第二晶圆；

在从该原子层沉积工具移除该第二晶圆之后，在该原子层沉积工具上执行一第二处理制程，该第二处理制程包括补充在该原子层沉积工具的所述内侧壁上方的该疏水涂料。