[发明专利]掩模的制造方法、据此制造的掩模和显示装置的制造方法在审
申请号: | 202110096084.3 | 申请日: | 2021-01-25 |
公开(公告)号: | CN113437246A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 金泰圣;吕伦钟;赵炫珉;孙智熙;任星淳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L21/308;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;习瑞恒 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 方法 据此 显示装置 | ||
1.一种掩模的制造方法,包括如下步骤:
在掩模基板上形成有机物质层,在所述有机物质层上图案化硬掩模;
蚀刻所述有机物质层而形成包括贯通孔的掩模片;
去除布置在所述掩模片上的所述硬掩模;
在所述掩模片上形成导电物质层;以及
蚀刻所述导电物质层而形成导电层。
2.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,
在蚀刻所述有机物质层而形成包括贯通孔的掩模片的步骤中,
所述掩模片通过干法蚀刻工序而形成。
3.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,
在所述掩模片上形成导电物质层的步骤中,
所述导电物质层包括Al、Ti、Mo、Cu、ITO、IZO以及IGZO中的至少一种物质。
4.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,
在蚀刻所述导电物质层而形成导电层的步骤中,
所述导电层通过干法蚀刻工序而形成。
5.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,
所述导电层从所述掩模片的上表面具有第一厚度,所述第一厚度为1500埃至2500埃。
6.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,
所述导电层与所述贯通孔相隔,并且具有网格形状。
7.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,
所述导电层中的至少一部分与所述贯通孔相隔,并且具有岛形状。
8.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,
在蚀刻所述导电物质层而形成导电层的步骤之后还包括如下步骤:
在所述导电层固定框架;以及
拆卸所述掩模基板。
9.如权利要求8所述的掩模的制造方法,其中,
所述导电层借由静电力固定在所述框架。
10.如权利要求8所述的掩模的制造方法,其中,
所述框架与所述贯通孔相隔,并且具有网格形状。
11.如权利要求8所述的掩模的制造方法,其中,
所述框架中的至少一部分与所述贯通孔相隔,并且具有岛形状。
12.一种掩模,配备有:
框架;
掩模片,包括贯通孔;以及
导电层,在平面上与所述贯通孔相隔,并且布置在所述框架与所述掩模片之间,并固定在所述框架。
13.如权利要求12所述的掩模,其中,
所述导电层包括Al、Ti、Mo、Cu、ITO、IZO以及IGZO中的至少一种物质。
14.如权利要求12所述的掩模,其中,
所述导电层从所述掩模片的上表面具有第一厚度,所述第一厚度为1500埃至2500埃。
15.如权利要求12所述的掩模,其中,
所述导电层与所述贯通孔相隔,并且具有网格形状。
16.如权利要求12所述的掩模,其中,
所述导电层中的至少一部分与所述贯通孔相隔,并且具有岛形状。
17.如权利要求12所述的掩模,其中,
所述导电层借由静电力固定在所述框架。
18.如权利要求12所述的掩模,其中,
所述框架与所述贯通孔相隔,并且具有网格形状。
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