[发明专利]掩模的制造方法、据此制造的掩模和显示装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110096084.3 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN113437246A 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 金泰圣;吕伦钟;赵炫珉;孙智熙;任星淳 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L21/308;H01L27/32
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 李盛泉;习瑞恒
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 方法 据此 显示装置
【权利要求书】:

1.一种掩模的制造方法,包括如下步骤:

在掩模基板上形成有机物质层,在所述有机物质层上图案化硬掩模;

蚀刻所述有机物质层而形成包括贯通孔的掩模片;

去除布置在所述掩模片上的所述硬掩模;

在所述掩模片上形成导电物质层;以及

蚀刻所述导电物质层而形成导电层。

2.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,

在蚀刻所述有机物质层而形成包括贯通孔的掩模片的步骤中,

所述掩模片通过干法蚀刻工序而形成。

3.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,

在所述掩模片上形成导电物质层的步骤中,

所述导电物质层包括Al、Ti、Mo、Cu、ITO、IZO以及IGZO中的至少一种物质。

4.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,

在蚀刻所述导电物质层而形成导电层的步骤中,

所述导电层通过干法蚀刻工序而形成。

5.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,

所述导电层从所述掩模片的上表面具有第一厚度,所述第一厚度为1500埃至2500埃。

6.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,

所述导电层与所述贯通孔相隔,并且具有网格形状。

7.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,

所述导电层中的至少一部分与所述贯通孔相隔,并且具有岛形状。

8.如权利要求1所述的掩模的制造方法,其中,

在蚀刻所述导电物质层而形成导电层的步骤之后还包括如下步骤:

在所述导电层固定框架;以及

拆卸所述掩模基板。

9.如权利要求8所述的掩模的制造方法,其中,

所述导电层借由静电力固定在所述框架。

10.如权利要求8所述的掩模的制造方法,其中,

所述框架与所述贯通孔相隔,并且具有网格形状。

11.如权利要求8所述的掩模的制造方法,其中,

所述框架中的至少一部分与所述贯通孔相隔,并且具有岛形状。

12.一种掩模,配备有:

框架;

掩模片,包括贯通孔;以及

导电层,在平面上与所述贯通孔相隔,并且布置在所述框架与所述掩模片之间,并固定在所述框架。

13.如权利要求12所述的掩模,其中,

所述导电层包括Al、Ti、Mo、Cu、ITO、IZO以及IGZO中的至少一种物质。

14.如权利要求12所述的掩模,其中,

所述导电层从所述掩模片的上表面具有第一厚度,所述第一厚度为1500埃至2500埃。

15.如权利要求12所述的掩模,其中,

所述导电层与所述贯通孔相隔,并且具有网格形状。

16.如权利要求12所述的掩模,其中,

所述导电层中的至少一部分与所述贯通孔相隔,并且具有岛形状。

17.如权利要求12所述的掩模,其中,

所述导电层借由静电力固定在所述框架。

18.如权利要求12所述的掩模,其中,

所述框架与所述贯通孔相隔,并且具有网格形状。

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