[发明专利]一种SRAM的版图布局方法及装置在审
申请号: | 202110095618.0 | 申请日: | 2021-01-25 |
公开(公告)号: | CN112765926A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 郭燕萍;闫珍珍;许婷;卜建辉;刘海南;赵发展;罗家俊;韩郑生 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06F115/10 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sram 版图 布局 方法 装置 | ||
1.一种SRAM的版图布局方法,其特征在于,所述方法包括:
确定虚拟字线模块、虚拟位线模块及所述dummy模块在静态随机存取存储器SRAM数据通路中的位置;
获取所述SRAM的目标位数量、目标字数量及目标多路复用器数量,基于所述目标位数量及所述目标多路复用器数量确定对应的第一版图布局策略;基于所述目标字的数量及所述目标多路复用器数量确定对应的第二版图布局策略;
基于所述第一版图布局策略及所述第二版图布局策略对所述SRAM的版图进行布局。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,方法还包括:
当所述SRAM的端口为双端口时,确定所述虚拟字线模块包括:第一虚拟字线模块及第二虚拟字线模块;所述虚拟位线模块包括:第一虚拟位线模块及第二虚拟位线模块;所述dummy模块包括:第一dummy模块及第二dummy模块;其中,
所述第一虚拟字线模块及所述第二虚拟字线模块均包括:第一字线模块、第二字线模块及第三字线模块;所述第一字线模块、所述第二字线模块及所述第三字线模块包括三行四列的存储单元;所述第一字线模块中的字线处于连接状态,所述第二字线模块及所述第三字线模块的字线处于断开状态,所述第二字线模块及所述第三字线模块的字线断开位置不同。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述目标位数量及所述目标多路复用器数量确定对应的第一版图布局策略,包括:
当目标位数量M为偶数,M/2为偶数,且所述目标多路复用器数量mux=4时,第一虚拟字线模块对应的版图布局策略包括:基于第一虚拟字线模块在所述数据通路中的位置,依次布局M/4个第一字线模块、1个第二字线模块及(M/4)-1个所述第一字线模块;
当所述目标位数量M为偶数,M/2为奇数,且所述mux=4时,所述第一虚拟字线模块对应的第一版图布局策略包括:基于第一虚拟字线模块在所述数据通路中的位置,依次布局[(M/2)-1]/2个所述第一字线模块、1个第三字线模块及[(M/2)-1]/2个所述第一字线模块;
当所述目标位数量M为奇数,(M-1)/2为偶数,且所述mux=4时,所述第一虚拟字线模块对应的第一版图布局策略包括:基于所述第一虚拟字线模块在所述数据通路中的位置,依次布局(M-1)/4个所述第一字线模块、1个所述第三字线模块及(M-1)/4个所述第一字线模块;
当所述目标位数量M为偶数,(M-1)/2为奇数,且所述mux=4时,所述第一虚拟字线模块对应的第一版图布局策略包括:基于所述第一虚拟字线模块在所述数据通路中的位置,依次布局(M+1)/4个所述第一字线模块、1个所述第二字线模块及[(M+1)/4]-1个所述第一字线模块。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,基于所述目标位数量及所述目标多路复用器数量确定对应的第一版图布局策略,包括:
当目标位数量M为偶数,且所述目标多路复用器数量mux=8或16时,所述第一虚拟字线模块对应的第一版图布局策略包括:基于第一虚拟字线模块在所述数据通路中的位置,依次布局(mux*M)/16个第一字线模块、1个第二字线模块及[(mux*M)/16]-1个所述第一字线模块;
当所述目标位数量M为奇数,且所述mux=8或16时,所述第一虚拟字线模块对应的第一版图布局策略包括:基于所述第一虚拟字线模块在所述数据通路中的位置,依次布局[mux*(M+1)]/16个所述第一字线模块、1个所述第二字线模块及[mux*(M+1)/16]-1个所述第一字线模块。
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