[发明专利]处理用于制造诸如微镜的振荡结构的晶片的方法

权利要求书

1.一种处理具有彼此相对的第一侧和第二侧的晶片以制造振荡结构的方法，所述方法包括：

a)形成第一弹性扭转元件和第二弹性扭转元件，所述第一弹性扭转元件和所述第二弹性扭转元件被约束到固定支撑体的相应部分，并且限定旋转轴；

b)形成被插入于所述第一弹性扭转元件和所述第二弹性扭转元件之间、并且连接到所述第一弹性扭转元件和所述第二弹性扭转元件的移动元件，所述移动元件因所述第一弹性扭转元件和所述第二弹性扭转元件的扭转而能够围绕所述旋转轴旋转；

c)通过以下步骤在所述移动元件处处理所述晶片的所述第一侧，以形成用于所述移动元件的机械增强结构：

c1)在所述晶片的所述第一侧上生长增强层；以及

c2)通过移除所述增强层的选择性部分来图案化所述增强层；以及

d)处理所述晶片的所述第二侧，包括在所述晶片的所述第二侧实施以下中的至少一种：化学蚀刻、沉积金属材料、以及沉积压电材料；

其中步骤d)是在执行步骤c)之后执行的。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在执行步骤c)之后、但在执行步骤d)之前，将支撑结构耦合到所述晶片的所述第一侧。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：为所述支撑结构提供凹部，并且其中将所述支撑结构耦合到所述晶片的所述第一侧被实施，使得所述机械增强结构被完全包含在所述凹部内。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：移除所述增强层的选择性部分以形成至少一个流体进入通道，所述至少一个流体进入通道适于设置为使所述凹部与所述凹部外部的环境流体连通。

5.根据权利要求1所述的方法，其中步骤d)包括：处理所述晶片的所述第二侧，包括在所述晶片的所述第二侧至少实施金属材料的沉积；其中金属材料的所述沉积被实施，以形成所述移动元件上的反射层和/或电触头和/或电路径；以及其中压电材料的所述沉积被执行，以形成压电致动器，所述压电致动器被配置为在使用中引起所述第一弹性扭转元件和所述第二弹性扭转元件的所述扭转。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片是绝缘体上硅(SOI)晶片，所述绝缘体上硅晶片包括被插入于基底和结构层之间的绝缘层；其中所述方法还包括：在所述结构层上形成蚀刻停止层，所述增强层生长在所述蚀刻停止层上，并且其中形成所述机械增强结构包括：掩模蚀刻所述增强层以用于移除所述增强层的选择性部分，直至到达所述蚀刻停止层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片是SOI晶片，所述SOI晶片包括被插入于基底和结构层之间的绝缘层；并且其中处理所述晶片的所述第二侧包括：

对所述基底实施减薄，直至到达所述绝缘层；

移除所述绝缘层的选择性部分，以暴露所述结构层的相应表面区域；以及

实施来自所述化学蚀刻、金属材料的所述沉积、以及压电材料的所述沉积中的至少一种操作。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学蚀刻被实施以形成以下项的中心体：所述振荡结构、所述第一弹性扭转元件、所述第二弹性扭转元件、以及所述移动元件。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学蚀刻被实施以形成一个或多个结构，所述一个或多个结构被配置为实施所述振荡结构的静电致动。