[发明专利]一种具有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的光电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的光电器件，其特征在于，包括电极层，二氧化硅基底，以及分布在二氧化硅基底上的钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列；

所述钙钛矿同轴异质一维纳米线为核壳结构；所述核壳结构以分子式为A_1-nB_nCX₃的钙钛矿作为核层，以分子式为A_1-nB_nCY₃的钙钛矿作为壳层；其中0≦n≦1，A为HC(NH₂)₂⁺或CH₃NH₃⁺，B为Cs⁺，C为Ge²⁺，Sn²⁺和Pb²⁺中的一种，X和Y各自独立的为Cl、Br和I中的一种，且X与Y不相同。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电极层包括厚度为10-30nm的铬层和厚度为80-100nm的金层。

3.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的纳米线的宽度为1-5μm，高度为100-500nm，相邻纳米线之间的间距为2-5μm。

4.一种如权利要求1-3任一所述光电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在模板表面滴加分子式为A_1-nB_nCX₃的钙钛矿前驱体溶液，然后在其上覆盖二氧化硅基底，形成三明治结构，烘干使溶剂挥发，得到分布有钙钛矿一维纳米线阵列的二氧化硅基底；

(2)将所述二氧化硅基底有钙钛矿一维纳米线阵列的一面朝上，浸泡在卤素Y离子源溶液中，进行离子交换，随后清洗，加热，得到分布有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵的二氧化硅基底；

(3)在所述钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的表面沉积电极层，即得；

其中，所述X和Y各自独立的为Cl、Br和I中的一种，且X与Y不相同。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述钙钛矿前驱体溶液的溶剂选自超干二甲基亚砜和超干N,N-二甲基甲酰胺中的一种或两种。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述钙钛矿前驱体溶液的浓度为10-30mg/mL。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述烘干条件为：温度为50-100℃。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述卤素Y离子源为：油胺氯、油胺溴和油胺碘中的一种；

优选的，所述卤素Y离子源溶液的浓度为1-10mg/mL。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述离子交换的条件为：温度为室温，时间为12-48小时。

10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述加热条件为：温度为25-165℃，时间为0.5-2小时。