[发明专利]三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器

权利要求书

1.一种三态内容可定址存储器，其特征在于，包括：

存储单元，包括：

第一主动区，沿着第一方向延伸；

第二主动区，沿着该第一方向延伸；

第三主动区，沿着该第一方向延伸；

第四主动区，沿着该第一方向延伸，其中该第一主动区、该第二主动区、该第三主动区与该第四主动区沿着第二方向依序排列；

第一栅极线，横跨该第三主动区与该第四主动区并沿着该第二方向延伸；

第二栅极线，横跨该第四主动区并沿着该第二方向延伸；

第三栅极线，横跨该第一主动区并沿着该第二方向延伸；以及

第四栅极线，横跨该第一主动区与该第二主动区并沿着该第二方向延伸；以及

两搜寻晶体管，电连接到该存储单元，其中该两搜寻晶体管与该存储单元沿着该第一方向排列。

2.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，还包括第一绝缘区块以及第二绝缘区块，该第一绝缘区块设置于该第一主动区相对于该第二主动区的一侧，且该第二绝缘区块设置于该第四主动区相对于该第三主动区的一侧，其中该第一绝缘区块在该第二方向上的宽度等于该第二绝缘区块在该第二方向上的宽度。

3.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，其中该两搜寻晶体管的源/漏极与漏/源极设置于该第四主动区中。

4.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，其中该第一栅极线与该第四栅极线在该第二方向上具有相同的长度。

5.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，还包括另一存储单元，其中该存储单元与该另一存储单元沿着该第一方向排列，且该两搜寻晶体管设置于该存储单元与该另一存储单元之间。

6.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，其中该两搜寻晶体管中的一个包括第五栅极线，横跨该第四主动区。

7.如权利要求6所述的三态内容可定址存储器，其中该第一栅极线与该第五栅极线以该第二方向为对称轴呈镜像对称。

8.如权利要求6所述的三态内容可定址存储器，还包括连接线，连接于该第一栅极线与该第五栅极线之间。

9.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，其中该两搜寻晶体管中的一个包括第六栅极线，横跨该第四主动区。

10.如权利要求1所述的三态内容可定址存储器，另包括两虚置栅极线，横跨该第一主动区。

11.一种两端口静态随机存取存储器，其特征在于，包括：

存储单元，包括：

第一主动区，沿着第一方向延伸；

第二主动区，沿着该第一方向延伸；

第三主动区，沿着该第一方向延伸；

第四主动区，沿着该第一方向延伸，其中该第一主动区、该第二主动区、该第三主动区与该第四主动区沿着第二方向依序排列；

第一栅极线，横跨该第三主动区与该第四主动区并沿着该第二方向延伸；

第二栅极线，横跨该第四主动区并沿着该第二方向延伸；

第三栅极线，横跨该第一主动区并沿着该第二方向延伸；以及

第四栅极线，横跨该第一主动区与该第二主动区并沿着该第二方向延伸；以及

两读取晶体管，电连接到该存储单元，其中该两读取晶体管与该存储单元沿着该第一方向排列。

12.如权利要求11所述的两端口静态随机存取存储器，还包括第一绝缘区块以及第二绝缘区块，该第一绝缘区块设置于该第一主动区相对于该第二主动区的一侧，且该第二绝缘区块设置于该第四主动区相对于该第三主动区的一侧，其中该第一绝缘区块在该第二方向上的宽度等于该第二绝缘区块在该第二方向上的宽度。

13.如权利要求11所述的两端口静态随机存取存储器，其中该两读取晶体管的源/漏极与漏/源极设置于该第四主动区中。