[发明专利]具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法及结构有效
申请号: | 202110090914.1 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN113764540B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 朱卫东;张泽阳;张春福;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/102;H01L31/032;H01L31/0224 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 双层 钙钛矿光 活性 太阳能电池 制备 方法 结构 | ||
1.一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
对第一FTO衬底(1)进行预处理得到第二FTO衬底(2);
在所述第二FTO衬底(2)的部分上表面旋涂TiO2溶液得到TiO2电子传输层(3);
在所述TiO2电子传输层(3)的上表面旋涂PbBr2溶液得到PbBr2层(4);
在所述PbBr2层(4)的上表面旋涂PMMA溶液得到PMMA超薄隔阻层(5);
在所述PMMA超薄隔阻层(5)的上表面旋涂PbCl2溶液得到第一基底(7),所述第一基底(7)由从下到上依次层叠的所述第二FTO衬底(2)、所述TiO2电子传输层(3)、所述PbBr2层(4)、所述PMMA超薄隔阻层(5)和PbCl2层(6)组成;
对所述第一基底(7)进行加热得到第二基底(8),所述第二基底(8)由从下到上依次层叠的所述第二FTO衬底(2)、所述TiO2电子传输层(3)、所述PbBr2层(4)和所述PbCl2层(6)组成;
在所述第二基底(8)的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底(9),所述第三基底(9)由从下到上依次层叠的所述第二FTO衬底(2)、所述TiO2电子传输层(3)、CsPbBr3层(11)和CsPbBrCl2层(12)组成;
在所述第三基底(9)的上表面淀积碳浆得到阳极碳电极(10),以制备具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在所述第二FTO衬底(2)的剩余部分的上表面设置有阴电极。
3.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法,其特征在于,对所述第一基底(7)进行加热得到第二基底(8),包括:
对所述第一基底(7)进行加热使所述PMMA超薄隔阻层(5)遇热分解蒸发,以制备所述第二基底(8)。
4.根据权利要求3所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法,其特征在于,利用高温热台对所述第一基底(7)进行加热,所述高温热台的温度为280℃~300℃。
5.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在所述第二基底(8)的上表面旋涂CsBr溶液得到第三基底(9),包括:
在所述第二基底(8)的上表面旋涂CsBr溶液,使所述PbBr2层(4)和所述CsBr溶液反应得到所述CsPbBr3层(11),所述PbCl2层(6)和所述CsBr溶液反应得到所述CsPbBrCl2层(12),以制备所述第三基底(9)。
6.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述CsPbBr3层(11)的厚度范围为300~350nm。
7.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述CsPbBrCl2层(12)的厚度范围为50~150nm。
8.根据权利要求1所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述CsBr溶液的旋涂剂量为80~150μL。
9.一种具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池结构,其特征在于,利用权利要求1至8任一项所述的具有双层钙钛矿光活性层的太阳能电池的制备方法进行制备,包括:
第二FTO衬底(2);
TiO2电子传输层(3),设置于所述第二FTO衬底(2)的上表面;
CsPbBr3层(11),设置于所述TiO2电子传输层(3)的上表面;
CsPbBrCl2层(12),设置于所述CsPbBr3层(11)的上表面;
阳极碳电极(10),设置于所述CsPbBrCl2层(12)的上表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的