[发明专利]裸片裂纹损伤检测电路、裂纹检测方法以及存储器有效
| 申请号: | 202110087721.0 | 申请日: | 2021-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN112908879B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
| 发明(设计)人: | 曹玲玲 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;臧建明 |
| 地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 裂纹 损伤 检测 电路 方法 以及 存储器 | ||
本申请提供了一种裸片裂纹损伤检测电路、裂纹检测方法以及存储器。该裸片裂纹损伤检测电路,包括:测试电路、裂纹检测环路、中继驱动单元。其中,测试电路位于裸片的保护环内,用于输出脉冲检测信号;裂纹检测环路位于保护环内,和/或,保护环外,其输入端与测试电路的输出端连接,其输出端与裸片的输出管脚连接;中继驱动单元,设置于裂纹检测环路的输入端和输出端之间,用于增强脉冲检测信号的传输能力;保护环环绕整个裸片,用于保护裸片;测试电路在进入测试模式时,向裂纹检测环路输出脉冲检测信号,测试机台通过读取裸片的输出管脚上的信号来判断裸片是否被裂纹所损伤。通过中继驱动单元使得裂缝检测的速度和灵敏度得到大幅提升。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种裸片裂纹损伤检测电路、裂纹检测方法以及存储器。
背景技术
半导体集成芯片是先在一张圆形硅片上同时制作几十甚至上百个集成电路单元,然后对硅片进行切割,将集成电路单元切割下来,形成裸片,然后经过测试、挑选、封装,成为我们看到的芯片。
目前硅片切割有刀片锯切和激光切割两种方式。但是无论哪一种方式在切割的时候,都无法避免地会使得硅片产生裂缝,当裂缝蔓延到裸片上,就有可能破坏内部的集成电路,导致裸片报废。
因此需要在裸片上增加裂缝检测电路来快速识别出受到裂缝损伤的裸片。
发明内容
本申请提供一种裸片裂纹损伤检测电路、裂纹检测方法以及存储器,以解决在裸片检测和挑选时,快速识别出受到裂缝损伤的裸片的技术问题。
第一个方面,本申请提供一种裸片裂纹损伤检测电路,包括:
测试电路,位于所述裸片的保护环内,用于输出脉冲检测信号;
裂纹检测环路,环绕设置于所述裸片的保护环外,其输入端与所述测试电路的输出端连接,其输出端与所述裸片的输出管脚连接;
中继驱动单元,设置于所述裂纹检测环路的输入端和输出端之间,用于增强所述脉冲检测信号的传输能力;
其中,所述保护环环绕整个所述裸片,用于保护所述裸片;
所述测试电路在进入测试模式时,向所述裂纹检测环路输出所述脉冲检测信号,测试机台通过读取所述裸片的输出管脚上的信号来判断所述裸片是否被裂纹所损伤。
在一种可能的设计中,所述裂纹检测环路位于所述待测裸片所在基体的顶层金属层上。
在一种可能的设计中,所述中继驱动单元包括:
缓冲电路,所述缓冲电路用于增强所述脉冲检测信号,并驱动所述脉冲检测信号向所述裂纹检测环路的输出端传输。
在一种可能的设计中,所述中继驱动单元还包括:
可控下拉电阻,所述可控下拉电阻的第一端与所述缓冲电路的输入端连接,所述可控下拉电阻的第二端接地。
在一种可能的设计中,所述缓冲电路包括反相器,所述可控下拉电阻用于防止所述反相器的输入端悬空。
在一种可能的设计中,所述反相器的数量为至少两个。
可选的,所述可控下拉电阻包括:
MOS电阻,所述MOS电阻为导通状态下的MOS管;
开关元件,所述开关元件连接在所述MOS管的源极S和漏极D之间,所述开关元件用于控制所述MOS电阻是否短接,以改变所述可控下拉电阻的阻值。
可选的,所述裂纹检测环路与所述保护环在所述裸片的基体衬底上的投影形状相同。
在一种可能的设计中,所述裂纹检测环路的拐角为直角,所述保护环的拐角进行了倒角处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





