[发明专利]氧化物半导体膜的蚀刻方法和等离子体处理装置在审

申请号：	202110086878.1	申请日：	2021-01-22
公开（公告）号：	CN113206016A	公开（公告）日：	2021-08-03
发明（设计）人：	山﨑政宏;田原慈	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/467	分类号：	H01L21/467;H01L21/67
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	氧化物半导体蚀刻方法等离子体处理装置
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明提供在氧化物半导体膜的蚀刻中能够提高掩模选择比的氧化物半导体膜的蚀刻方法和等离子体处理装置。氧化物半导体膜的蚀刻方法包括：提供基片的工序，该基片在至少含有铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物半导体膜上具有作为含硅膜的掩模；供给处理气体的工序，该处理气体包含含溴(Br)气体和含碘(I)气体中的至少一者；以及用上述处理气体的等离子体对上述氧化物半导体膜进行蚀刻的工序。

技术领域

本发明涉及氧化物半导体膜的蚀刻方法和等离子体处理装置。

背景技术

专利文献1提出在蚀刻气源中使用氯气，对至少含有In、Ga和Zn的氧化物进行蚀刻的技术。此外，专利文献1提出只要是能够生成卤素的自由基和离子的源，也可以使用其他源的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-42067号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够在氧化物半导体膜的蚀刻中提高掩模选择比的技术。

用于解决技术问题的技术方案

依照本发明的一个方式，提供一种氧化物半导体膜的蚀刻方法，其包括：提供基片的工序，该基片在至少含有铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物半导体膜上具有作为含硅膜的掩模；供给处理气体的工序，该处理气体包含含溴(Br)气体和含碘(I)气体中的至少一者；以及用上述处理气体的等离子体对上述氧化物半导体膜进行蚀刻的工序。

发明效果

依照一个方面，能够在氧化物半导体膜的蚀刻中提高掩模选择比。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子体处理装置的一个例子的截面示意图。

图2是表示实施方式的槽板的一个例子的俯视图。

图3是表示实施方式的IGZO膜的蚀刻中的气体依赖性的图。

图4是表示实施方式的IGZO膜的蚀刻中的气体依赖性的图。

图5是表示实施方式的IGZO膜的蚀刻中的温度依赖性的图。

图6是表示实施方式的IGZO膜的蚀刻中的温度依赖性的图。

图7是表示实施方式的气体添加的实验结果的一个例子的图。

图8是表示实施方式的气体添加和形状控制的一个例子的图。

图9是表示实施方式的IGZO膜的蚀刻中的温度依赖性的图。