[发明专利]一种基于丝瓜络/液态金属的传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于丝瓜络/液态金属的传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将丝瓜络与液态金属置于反应釜内，并使所述丝瓜络浸入所述液态金属中，于20℃～100℃条件下，同时经微波处理、紫外线处理、γ射线处理以及等离子束辐照处理中的至少一种方式进行处理，得到基于丝瓜络/液态金属的传感器。

2.如权利要求1所述的基于丝瓜络/液态金属的传感器的制备方法，其特征在于，所述液态金属选自三元镓铟锡合金或二元镓铟合金中的一种。

3.如权利要求2所述的基于丝瓜络/液态金属的传感器的制备方法，其特征在于，所述三元镓铟锡合金中各成分的质量比为Ga:In:Sn＝(66-70)％：(19-23)％：(8-12)％。

4.如权利要求2所述的基于丝瓜络/液态金属的传感器的制备方法，其特征在于，所述二元镓铟合金中各成分的质量比为Ga:In＝(73-82)％：(18-27)％。

5.如权利要求1～4任一项所述的基于丝瓜络/液态金属的传感器的制备方法，其特征在于，所述液态金属与所述丝瓜络的质量比为(0.1～100):1；所述丝瓜络与所述液态金属于所述反应釜内的反应时间范围为0.5h～24h。

6.如权利要求5所述的基于丝瓜络/液态金属的传感器的制备方法，其特征在于，所述微波处理时，微波频率为20MHZ～20000MHZ，微波处理时间为0.5min～500min，微波输出功率为100W～20000W。

7.如权利要求5所述的基于丝瓜络/液态金属的传感器的制备方法，其特征在于，所述紫外线处理时，紫外光的波长范围为100nm～400nm，功率为100W～3000W，紫外线处理时间范围为0.5min～500min。

8.如权利要求5所述的基于丝瓜络/液态金属的传感器的制备方法，其特征在于，所述γ射线处理时，γ射线的剂量范围为0.1Gy～1500Gy，γ射线处理时间范围为0.5min～500min。

9.如权利要求5所述的基于丝瓜络/液态金属的传感器的制备方法，其特征在于，所述等离子束辐照处理时，发射等离子束的电流强度范围为0.1A～200A，等离子束辐照处理时间范围为0.5min～500min。

10.一种基于丝瓜络/液态金属的传感器，其特征在于，通过如权利要求1～9任一项所述的基于丝瓜络/液态金属的传感器的制备方法进行制备。