[发明专利]具有侧支撑的处理室

说明书

一种处理室，其可包含弯曲上壁，所述弯曲上壁从所述反应室的第一端部部分纵向延伸到所述反应室的第二端部部分。所述处理室可包含弯曲下壁，所述弯曲下壁与所述弯曲上壁协作以至少部分地限定内腔，所述弯曲下壁在所述反应室的第一侧和所述反应室的第二侧从所述第一端部部分到所述第二端部部分连接到所述弯曲上壁。轨道可沿着所述处理室的外部表面从所述第一端部部分延伸到所述第二端部部分，所述轨道安置在所述弯曲上壁与所述弯曲下壁之间的连接处或安置在所述连接处附近。

相关申请的交叉引用

本申请主张2020年1月24日提交的第62/965,717号美国临时专 利申请的优先权，所述美国临时专利申请的全部内容在此以全文引用 的方式并入本文中，并且用于所有目的。

技术领域

本公开大体上涉及具有侧支撑的半导体处理室，且更具体地，涉 及在处理室的外部表面上使用肋以增强处理室的结构完整性。

背景技术

用于处理半导体晶片的处理室或反应室通常由石英(石英玻璃) 或类似材料制成，因为辐射能量能基本穿透石英。可将辐射加热器邻 近室外部放置，并且可将在室中处理的晶片加热到高温，而无需将室 壁加热到相同水平。此外，石英是合乎需要的，因为它可以承受非常 高的温度，并且其惰性特性使其能够承受各种处理气体的降解。

当放置平坦晶片以进行化学气相沉积，其中沉积气体平行于晶片 而流动时，可能期望室壁平行于晶片的平坦表面，以在晶片表面上获 得均匀沉积。然而，对于石英室内的压力要比周围环境压力低得多的 应用，从强度的角度来看，圆形室通常是首选的，因为圆形室的弯曲 表面能够最好地承受向内指向的力。与类似尺寸和厚度的向外凸壁相 比，平坦壁在降低内部压力的情况下可能会更早地向内坍塌。

因此，仍然需要改进用于反应室的机械支撑。

发明内容

在一个实施例中，一种处理室可包含：弯曲上壁，其从反应室的 第一端部部分纵向延伸到所述反应室的第二端部部分；弯曲下壁，其 与所述弯曲上壁协作以至少部分地限定内腔，所述弯曲下壁在所述反 应室的第一侧和所述反应室的第二侧从所述第一端部部分到所述第二 端部部分连接到所述弯曲上壁；以及轨道，其沿着所述处理室的外部 表面从所述第一端部部分延伸到所述第二端部部分，所述轨道安置在 所述弯曲上壁与所述弯曲下壁之间的连接处或安置在所述连接处附 近。

在另一实施例中，一种处理室可包含：弯曲上壁，其从反应室的 第一端部部分纵向延伸到所述反应室的第二端部部分；弯曲下壁，其 与所述弯曲上壁协作以至少部分地限定内腔，所述弯曲下壁在所述反 应室的第一侧和所述反应室的第二侧从所述第一端部部分到所述第二 端部部分连接到所述弯曲上壁；以及第一多个第一肋支撑结构，其仅 沿着所述弯曲上壁的一部分且仅沿着所述弯曲下壁的一部分安置在所 述弯曲上壁与所述弯曲下壁之间的连接处或安置在所述连接处附近。