[发明专利]一种正极极片及包含该正极极片的电化学装置和电子装置

权利要求书

1.一种正极极片，其包含正极活性材料层，所述正极活性材料层表面的元素含量分布满足：锰元素与氟元素之间的摩尔比α为12至80，所述正极活性材料层的XRD图谱中，I_A表示在44.7°至45.1°范围的特征峰峰强，I_B表示在45.1°至45.6°范围的特征峰峰强，0.5＜I_A/I_B＜0.8；

其中，所述正极活性材料层表面的元素含量分布采用如下测试方法得到：对正极极片表面进行SEM-EDX分析，在SEM-EDX图片中选取200μm×200μm大小的面积，测试所述面积内氟原子的数目N₁，以及所述面积内锰原子的数目N₂，所述面积内的锰元素与氟元素之间的摩尔比为N₂/N₁。

2.根据权利要求1所述的正极极片，其中，所述正极活性材料层的厚度为H，所述正极活性材料层中距离表面H/3至2H/3深度区域的锰元素与氟元素的摩尔比为β，β/α为0.35至1.25。

3.根据权利要求2所述的正极极片，其中，所述β范围为5至50。

4.根据权利要求1所述的正极极片，其中，所述正极活性材料层包括正极活性材料以及金属卤化物。

5.根据权利要求4所述的正极极片，其中，所述正极活性材料的平均粒径为D1，所述金属卤化物的平均粒径为D2，满足以下特征(1)至(3)中的至少一者：

(1) 0.33≤D1/D2≤100；

(2) 所述D1为2μm至20μm，所述D2为0.2μm至6μm；

(3) 所述正极活性材料的表面具有所述金属卤化物。

6.根据权利要求4所述的正极极片，其中，所述正极活性材料包括化合物a)或化合物b)中的至少一者：

所述化合物a) Li_x1Mn_2-y1Z_y1O₄，式中，Z包括Mg、Al、B、Cr、Ni、Co、Zn、Cu、Zr、Ti或V中的至少一种，0.8≤x1≤1.2，0≤y1≤0.1；

所述化合物b) Li_x2Ni_y2Co_zMn_kM_qO_b-aT_a，式中，M包括B、Mg、Al、Si、P、S、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Y、Zr、Mo、Ag、W、In、Sn、Pb、Sb和Ce中的至少一种；T为卤素，并且x2、y2、z、k、q、a和b分别满足：0.2≤x2≤1.2、0≤y2≤1、0≤z≤1、0k≤1、0≤q≤1、1b≤2以及0≤a≤1；

所述金属卤化物包括化合物AB_m，A包括Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn或Al 中的至少一种，B包括F、Cl、Br或I中的至少一种，1≤m≤4。

7.根据权利要求1-6任一项所述的正极极片，其中，所述正极极片满足以下特征(4)至(6)中的至少一者：

(4) α为10至40；

(5) β/α为0.35至0.625；

(6) 1.5≤D1/D2≤100。

8.一种电化学装置，包括权利要求1-7任一项所述的正极极片。

9.根据权利要求8所述的电化学装置，所述电化学装置放电至25%SOC后，80℃存储1天，拆解后所述正极极片经过碳酸二甲酯溶剂洗涤、85℃烘干12h后，采用拉曼测试，在258cm^-1至846cm^-1波长范围内存在两个峰，最强峰与次强峰的峰强比为：1.6至2.0。

10.一种电子装置，包括权利要求8-9任一项所述的电化学装置。