[发明专利]磁存储装置

权利要求书

1.一种磁存储装置，其特征在于具备磁阻效应元件，

所述磁阻效应元件具备具有可变磁化方向的第1磁性层、具有可变磁化方向的第2磁性层、具有固定磁化方向的第3磁性层、及非磁性层，

所述第1磁性层设置在所述第2磁性层与所述第3磁性层之间，所述非磁性层设置在所述第1磁性层与所述第3磁性层之间，

所述第2磁性层具有第1元素形成的第1元素层与第2元素形成的第2元素层交替地积层而成的超晶格结构，

所述第1元素是钴(Co)，所述第2元素从铂(Pt)、镍(Ni)及钯(Pd)中选择，且

所述第2磁性层含有铬(Cr)作为第3元素。

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于：

所述磁阻效应元件还具备含有所述第3元素的第3元素含有层，

所述第3元素含有层中含有的所述第3元素的浓度高于所述第2磁性层中含有的所述第3元素的浓度，且

所述第2磁性层设置在所述第1磁性层与所述第3元素含有层之间。

3.根据权利要求2所述的磁存储装置，其特征在于：

所述第3元素含有层还含有所述第1元素及所述第2元素中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于：

所述磁阻效应元件还具备含有所述第3元素的第3元素含有层，

所述第3元素含有层中含有的所述第3元素的浓度高于所述第2磁性层中含有的所述第3元素的浓度，且

所述第3元素含有层设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间。

5.根据权利要求4所述的磁存储装置，其特征在于：

所述第3元素含有层还含有所述第1元素及所述第2元素中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于：

所述第2磁性层的磁化方向朝与所述第1磁性层的磁化方向相同的方向变化。

7.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于：

所述磁阻效应元件具有垂直磁化。

8.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于：

所述第1磁性层含有钴(Co)及铁(Fe)中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于：

所述第3磁性层含有钴(Co)及铁(Fe)中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于：

所述非磁性层含有镁(Mg)及氧(O)。

11.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于：

所述磁阻效应元件还具备第4磁性层，所述第4磁性层具有固定磁化方向且具有反铁磁性耦合，且

所述第1磁性层及所述第3磁性层设置在所述第2磁性层与所述第4磁性层之间。

12.根据权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于：

还具备相对于所述磁阻效应元件串联连接的开关元件，且

由所述磁阻效应元件及所述开关元件构成存储单元。

13.根据权利要求12所述的磁存储装置，其特征在于：

所述开关元件是两端子型的开关元件，当施加到两端子间的电压小于阈值时呈高电阻状态，当施加到两端子间的电压在阈值以上时呈低电阻状态。

14.根据权利要求12所述的磁存储装置，其特征在于：

还具备第1配线与第2配线，且

所述存储单元连接在所述第1配线与所述第2配线之间。