[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

横向分布在所述半导体器件表面的阱区和漂移区，在所述阱区的远离所述漂移区的一端和所述漂移区的远离所述阱区的一端分别设置有源端掺杂区和漏端掺杂区；

栅极结构，覆盖在所述阱区和所述漂移区之间；

场板结构，覆盖在所述漂移区上表面，位于所述栅极结构与所述漏端掺杂区之间，且所述场板结构的介质层具有均匀的厚度，其中，

所述漂移区上表面还包括掺杂类型与所述漂移区的掺杂类型相反的表面掺杂区，所述表面掺杂区位于所述栅极结构与所述场板结构之间并与所述场板结构间隔一定距离，所述表面掺杂区电引出与所述场板结构的上表面电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述场板结构包括横向间隔分布的多段。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述阱区为通过所述栅极结构自对准形成的。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述场板结构和所述栅极结构为采用同一块掩膜版为掩膜同时刻蚀形成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

还包括外延层，所述外延层位于衬底上，所述阱区和所述漂移区位于在所述外延层上表面且间隔分布。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述漂移区为N型掺杂区；

所述阱区为P型掺杂区；

所述源端掺杂区包括横向连接的P型掺杂区和N型掺杂区，且所述源端掺杂区的P型掺杂区较N型掺杂区远离所述漂移区；

所述漏端掺杂区为N型掺杂区。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

所述表面掺杂区为P型掺杂区，所述表面掺杂区上表面还包括P型掺杂的电引出区，所述电引出区与所述场板结构电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述漂移区为P型掺杂区；

所述阱区为N型掺杂区；

所述源端掺杂区包括横向连接的N型掺杂区和P型掺杂区，且所述源端掺杂区的N型掺杂区较P型掺杂区远离所述漂移区；

所述漏端掺杂区为P型掺杂区。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述表面掺杂区为N型掺杂区，所述表面掺杂区上表面还包括N型掺杂的电引出区，所述电引出区与所述场板结构电连接。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述漂移区中还设置有浅沟槽隔离结构和局部硅氧化隔离结构中的至少一种，所述浅沟槽隔离结构和所述局部氧化硅隔离结构中的至少一种设置在所述表面掺杂区、所述场板结构和所述漏端掺杂区的相邻的两个之间。