[发明专利]低温烧结低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法在审
申请号: | 202110077928.X | 申请日: | 2021-01-20 |
公开(公告)号: | CN112811890A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 段冰;尚华;邵腾强 | 申请(专利权)人: | 宜宾红星电子有限公司 |
主分类号: | C04B35/195 | 分类号: | C04B35/195;C04B35/64 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 罗贵飞 |
地址: | 644000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 烧结 介电常数 微波 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.低温烧结低介电常数微波陶瓷材料,其特征在于,其原料组分按质量百分比为:2MgO-2Al2O3-5SiO275-95%,SiO21-8%,Yb2O31-8%,Ca2(OH)2CO33-15%。
2.根据权利要求1所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料,其特征在于,其原料组分按质量百分比为:2MgO-2Al2O3-5SiO280-90%,SiO22-5%,Yb2O32-5%,Ca2(OH)2CO36-10%。
3.根据权利要求1或2所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料,其特征在于:介电常数εr为5.1-5.4,谐振频率温度系数τf为-26.7-(-24.2),Q*f值为10555-11341。
4.如权利要求1-3任一项所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
a.配料:将分析纯的MgO、Al2O3、SiO2烘干后,按化学式2MgO-2Al2O3-5SiO2中的化学计量比称取后球磨处理,得到混合物干粉;
b.预压预烧:将步骤b得到的混合物干粉预压成紧密的粉体,然后以1000-1150℃的温度预烧2-10h后研磨过筛,得到2MgO-2Al2O3-5SiO2;
c.配料:根据低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的原料组分称取SiO2、Yb2O3、Ca2(OH)2CO3和步骤b得到的2MgO-2Al2O3-5SiO2后混合,得到混合料;
d.预烧混合:将步骤c得到的混合料以800-950℃的温度预烧2-10h后球磨处理,得到预烧干粉;
e.造粒成型:将步骤d得到的预烧干粉造粒,然后干压成型,得到素坯;
f.排胶:将步骤e得到的素坯排胶处理,得到成型素坯;
g.烧结:将步骤f得到的成型素坯置于承烧板上,用步骤d得到的预烧干粉覆盖成型素坯,然后用坩埚盖于上方,将承烧板放入烧结炉中以1-5℃/min的升温速率升温至1100-1170℃,保温2-10h后随炉自然冷却得到低温烧结低介电常数微波陶瓷材料。
5.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤a和d中,球磨处理指在乙醇中以ZrO2球为媒介行星球磨24-48h,再烘干。
6.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤e中,造粒使用预烧干粉质量的5%-12%的聚乙烯醇溶液,所述聚乙烯醇溶液溶质质量分数为5%-10%。
7.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤a中,烘干温度为120-150℃,烘干时间为5-10h。
8.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤f中,排胶处理指以1-3℃/min的升温速率升温至500-650℃,保温2-5h后随炉自然冷却。
9.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤b中,预压压力为100-300Mpa。
10.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤e中,干压成型压力为100-300Mpa。
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