[发明专利]一种复合导电薄膜的制备方法

说明书

本申请公开了一种复合导电薄膜的制备方法，该方法采用反应等离子沉积工艺制备第一欧姆接触层、第一功能层、电流传导层、第二功能层和第二欧姆接触层，避免了传统的真空蒸发和磁控溅射等工艺制备的薄膜的累积应力较大的问题，也避免了对基板造成损伤的情况，同时在制备第一功能层时，通入的第一预设气体流量随时间递增，以减小膜层生长应力，实现制备低应力薄膜的目的，同样的在制备第二功能层时，通入的第二预设气体流量随时间增加而降低，以降低膜层生长应力，实现制备低应力薄膜的目的，结合特定的第一欧姆接触层、第一功能层、电流传导层、第二功能层和第二欧姆接触层堆叠结构，实现制备低阻值、高穿透率和高稳定性的透明导电薄膜的目的。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种复合导电薄膜的制备方法。

背景技术

透明导电薄膜广泛应用于发光二极管、太阳能电池和平板显示等技术领域。

如何制备低阻值、高穿透率和高稳定性的透明导电薄膜是研究人员努力的方向之一。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供了一种复合导电薄膜的制备方法，以实现制备低阻值、高穿透率和高稳定性的透明导电薄膜的目的。

为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种复合导电薄膜的制备方法，包括：

提供基板；

采用反应等离子沉积工艺，在所述基板表面依次制备第一欧姆接触层、第一功能层、电流传导层、第二功能层和第二欧姆接触层；

在采用反应等离子沉积工艺制备所述第一功能层时，通入的第一预设气体流量随时间增加而增加；

在采用反应等离子沉积工艺制备所述第二功能层时，通入的第二预设气体流量随时间增加而降低。

可选的，所述采用反应等离子沉积工艺，在所述基板表面依次制备第一欧姆接触层、第一功能层、电流传导层、第二功能层和第二欧姆接触层包括：

采用反应等离子沉积工艺制备所述第一欧姆接触层，制备过程中控制等离子浓度低于第一预设浓度，控制磁性线圈电流大于第一预设电流；

采用反应等离子沉积工艺制备所述第一功能层，制备过程中控制通入的氧气流量和氩气流量随时间增加而增加；

采用反应等离子沉积工艺制备所述电流传导层，制备过程中控制通入的氧气浓度大于第二预设浓度，控制离子浓度大于第三预设浓度；

采用反应等离子沉积工艺制备所述第二功能层，制备过程中控制通入的第二预设气体流量随时间增加而降低；

采用反应等离子沉积工艺制备所述第二欧姆接触层，制备过程中控制通入的氧气流量小于第四预设浓度，控制通入的氩气流量小于第五预设浓度。

可选的，所述采用反应等离子沉积工艺制备所述第一欧姆接触层包括：

在第一预设条件下，制备厚度为20～100埃的第一欧姆接触层；

所述第一预设条件包括：通过反应等离子沉积设备的反应离子枪通入70～80sccm流量的氩气，控制反应等离子沉积设备的磁性线圈电流的取值在50～75A范围内，在反应等离子沉积设备的腔体内通入靶材工艺气体，所述靶材工艺气体包括0～5sccm流量的氧气以及40～60sccm流量的氩气，所述反应等离子沉积设备的背景真空的取值范围为1.0×10^-6～1.0×10^-3Pa，所述反应等离子沉积设备的腔体温度的取值范围为65～90℃。

可选的，所述采用反应等离子沉积工艺制备所述第一功能层包括：

在第二预设条件下，制备厚度为50～100埃的第一功能层；