[发明专利]埋层对准标记及其制作方法在审
| 申请号： | 202110074698.1 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112908916A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 范晓 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 标记 及其 制作方法 | ||
1.一种埋层对准标记的制作方法，其特征在于，所述埋层对准标记的制作方法，包括以下步骤：
提供半导体衬底；所述半导体衬底包括相对的第一表面和第二表面；
在所述半导体衬底的第一表面上形成层间间隔层；
在所述层间间隔层上定义出对准标记图案；
根据所述对准标记图案，刻蚀去除所述对准标记图案以外的层间间隔层，形成对准标记结构；所述对准标记以外区域的半导体衬底第一表面外露；
在所述半导体衬底上形成外延层，使得所述外延层覆盖所述对准标记结构，和所述半导体衬底外露的第一表面。
2.如权利要求1所述的埋层对准标记的制作方法，其特征在于，所述步骤：在所述半导体衬底的第一表面上形成层间间隔层，包括：
在所述半导体衬底的第一表面上，制作形成硅化物层；
在所述硅化物层上，制作形成多晶硅层。
3.如权利要求2所述的埋层对准标记的制作方法，其特征在于，所述步骤：在所述半导体衬底的第一表面上，制作形成硅化物层中，所形成的硅化物的厚度为50nm至300nm。
4.如权利要求2所述的埋层对准标记的制作方法，其特征在于，所述硅化物层包括氧化硅层和氮化硅层中的任意一种或者组合。
5.如权利要求2所述的埋层对准标记的制作方法，其特征在于，所述步骤：在所述硅化物层上，制作形成多晶硅层中，所形成的多晶硅层的厚度为30nm至200nm。
6.如权利要求1所述的埋层对准标记的制作方法，其特征在于，在所述步骤：半导体衬底的第一表面上形成层间间隔层完成后，在所述步骤：在所述层间间隔层上定义出对准标记图案进行前，还包括：
在所述层间间隔层上，制作形成氧化硅缓冲层。
7.如权利要求6所述的埋层对准标记的制作方法，其特征在于，所述步骤：在所述层间间隔层上定义出对准标记图案，包括：
选择性刻蚀所述氧化硅缓冲层，使得所述氧化硅缓冲层在所述层间间隔层上，定义出对准标记图案。
8.如权利要求1所述的埋层对准标记的制作方法，其特征在于，所述外延层的厚度为1um至5um。
9.一种埋层对准标记，其特征在于，所述埋层对准标记，通过如权利要求1至8项中任一项所述的埋层对准标记的制作方法，制作而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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